[实用新型]一种熏蒸治疗仪控制系统

权利要求书

1.一种熏蒸治疗仪控制系统，其特征在于：包括MCU主控单元、电源模块、按键模块、温控模块、加热装置和过温保护模块，所述电源模块为所述控制系统提供工作电源，所述按键模块的输出端与所述MCU主控单元的I/O口连接，所述温控模块的输入端与所述MCU主控单元的I/O口连接，所述加热装置用于药液的加热，所述过温保护模块包括第一温控保护电路和第二温控保护电路，所述第一温控保护电路包括第一温度感应器、基准电压和比较器，所述第一温度感应器实时测量熏蒸治疗仪内药液的温度，所述第一温度感应器和基准电压分别与比较器的两输入端连接，所述比较器的输出端与所述MCU主控单元的I/O口连接，所述第二温控保护电路包括第二温度感应器、继电器REL1和继电器控制电路，所述第二温度感应器实时测量熏蒸治疗仪内药液的温度，且所述第二温度感应器的输出端与所述MCU主控单元的I/O口连接，所述继电器REL1连接在温控模块和加热装置之间用于接通或断开加热装置的电源，所述继电器控制电路的输入端与所述MCU主控单元的I/O口连接，所述继电器控制电路的输出端与所述继电器REL1连接。

2.如权利要求1所述的熏蒸治疗仪控制系统，其特征在于：所述继电器控制电路包括三极管Q4、电阻R15和二极管D2，所述三极管Q4的发射极接电源VCC，所述三极管Q4的集电极接二极管D2阴极，所述二极管D2的阳极接地GND，所述三极管Q4的基极串接电阻R15后输出信号CON1，所述信号CON1连接至所述MCU主控单元的I/O口，所述继电器REL1的两线圈引脚并联在所述二极管D2的两端，所述继电器REL1的公共触点连接加热装置的电源输入端，所述继电器REL1的常闭触点连接温控模块的输出端，第一温控保护电路工作时，所述继电器REL1的公共触点与常闭触点连接，第二温控保护电路工作时，所述继电器REL1的公共触点与常闭触点断开且与常开触点连接。

3.如权利要求2所述的熏蒸治疗仪控制系统，其特征在于：所述温控模块包括双向可控硅，光耦U4，三极管Q5，电阻R16、R17、R18、R19和R20和电容C10，所述光耦U4的一输入端串接电阻R16后连接电源VCC，另一输入端与三极管Q5的发射极连接，所述三极管Q5的集电极接地GND，所述三极管Q5的基极连接至电阻R17的一端，所述电阻R17的另一端输出信号NET-P5.5连接至所述MCU主控单元的I/O口，所述光耦U4的一输出端串接电阻R20后与所述继电器REL1的常闭触点连接，所述双向可控硅的控制极G与所述光耦U4的另一输出端连接，所述电阻R18并联在所述双向可控硅的控制极G和第一阳极T1之间，所述双向可控硅的第二阳极T2与所述继电器REL1的常闭触点连接，所述电容C10与电阻R19串联，且所述电容C10的引出端连接至双向可控硅的第一阳极T1，所述电阻R19的引出端与所述继电器REL1的常闭触点连接。

4.如权利要求3所述的熏蒸治疗仪控制系统，其特征在于：还包括过零信号检测模块，所述过零信号检测模块包括电阻R29、电阻R30和三极管Q6，所述三极管Q6的发射极接电源VCC，所述三极管Q6的基极串接电阻R29后与所述电源模块的整流桥输出端V+连接，所述三极管Q6的集电极串接电阻R30后接地GND，所述集电极与电阻R30的公共引出端P3.3连接至MCU主控单元的I/O口。

5.如权利要求4所述的熏蒸治疗仪控制系统，其特征在于：所述按键模块包括三个按键K1、K4和K5，三个电阻R7、R10和R11，所述按键K1、K4和K5的一端与地GND连接，所述按键K1、K4和K5的另一端分别与所述电阻R7、R10和R11串联后连接至电源VCC，所述按键K1和K4与所述电阻R7和R10的公共端分别与所述MCU主控单元的两个I/O口连接。

6.如权利要求5所述的熏蒸治疗仪控制系统，其特征在于：还包括报警模块，所述报警模块包括蜂鸣器Beep、三极管Q4和电阻R12，所述蜂鸣器Beep的一端接地GND，另一端连接三极管Q4的集电极，所述三极管Q4的发射极接电源VCC，所述三极管Q4的基极串接电阻R12后与所述MCU主控单元的I/O口连接。

7.如权利要求6所述的熏蒸治疗仪控制系统，其特征在于：还包括显示模块，所述显示模块与所述MCU主控单元的I/O口连接。

8.如权利要求7所述的熏蒸治疗仪控制系统，其特征在于：所述电源模块包括依次连接的变压器、整流桥和直流稳压器，所述变压器的输入端连接220V交流电源，所述直流稳压器输出电源VCC。