[实用新型]一种改进的双向电平转换电路有效
| 申请号： | 201720222869.X | 申请日： | 2017-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN206542390U | 公开（公告）日： | 2017-10-03 |
| 发明（设计）人： | 杨春林 | 申请（专利权）人： | 深圳市北高智电子有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185 |
| 代理公司： | 北京市盈科律师事务所11344 | 代理人： | 谌杰君 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市南山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改进 双向 电平 转换 电路 | ||
1.一种改进的双向电平转换电路，其特征在于：包括并联在主芯片和CA卡端的3.3V/5V电平转换电路和5V/3.3V电平转换电路，所述3.3V/5V电平转换电路包括与所述主芯片连接的NMOS管Q1，所述NMOS管Q1的栅极与所述主芯片连接，所述NMOS管Q1的源极接地，所述NMOS管Q1的漏极连接有NMOS管Q2，所述NMOS管Q2的栅极与所述NMOS管Q1连接，所述NMOS管Q2的源极接地，所述NMOS管Q2的漏极与所述CA卡端连接；所述NMOS管Q1和所述NMOS管Q2的漏极分别通过上拉电阻R3、R5与5V电源连接；
所述5V/3.3V电平转换电路包括与所述CA卡端连接的NMOS管Q3，所述NMOS管Q3的栅极与所述CA卡端连接，所述NMOS管Q3的源极接地，所述NMOS管Q3的漏极连接有NMOS管Q4，所述NMOS管Q4的栅极与所述NMOS管Q3连接，所述NMOS管Q4的源极接地，所述NMOS管Q4的漏极与所述主芯片连接；所述NMOS管Q3的漏极通过上拉电阻R6与5V电源连接；所述NMOS管Q4的漏极通过上拉电阻R2与3.3V电源连接。
2.如权利要求1所述的改进的双向电平转换电路，其特征在于：所述NMOS管Q1的栅极与所述主芯片之间连接有高频纹波抑制电阻R1。
3.如权利要求1所述的改进的双向电平转换电路，其特征在于：所述NMOS管Q2的栅极与所述NMOS管Q1的漏极之间连接有高频纹波抑制电阻R4。
4.如权利要求1所述的改进的双向电平转换电路，其特征在于：所述NMOS管Q3的栅极与所述CA卡端之间连接有高频纹波抑制电阻R8。
5.如权利要求1所述的改进的双向电平转换电路，其特征在于：所述NMOS管Q4的栅极与所述NMOS管Q3的漏极之间连接有高频纹波抑制电阻R7。
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