[实用新型]芯片嵌入硅基式扇出型封装结构

权利要求书

1.一种芯片嵌入硅基式扇出型封装结构，其特征在于，包括一硅基体，所述硅基体具有第一表面和第二表面，所述硅基体的第一表面上形成有至少一向所述第二表面延伸的凹槽A，所述凹槽A内设有至少一颗焊盘面向上的芯片，且所述芯片的焊盘面高出所述硅基体第一表面一段距离，所述第一表面上铺设有暴露所述凹槽A及所述芯片的厚胶层，所述厚胶层的厚度与所述凹槽A的深度之和接近或等于所述芯片的厚度，所述芯片的焊盘的电性通过金属布线层扇出至所述厚胶层上方。

2.根据权利要求1所述的芯片嵌入硅基式扇出型封装结构，其特征在于，所述芯片的焊盘面高出所述硅基体第一表面5微米以上。

3.根据权利要求1所述的芯片嵌入硅基式扇出型封装结构，其特征在于，所述硅基体的第一表面上形成有凹槽B，所述厚胶层填充入所述凹槽B。

4.根据权利要求1或3所述的芯片嵌入硅基式扇出型封装结构，其特征在于，所述厚胶层为可光刻胶，所述厚胶层及所述芯片的焊盘面上铺设有介质层，且该介质层填充入所述芯片侧面与所述凹槽A之间以及所述芯片侧面与所述厚胶层之间的间隙内；所述介质层上依次设置有金属布线层、钝化层及导电凸点，且至少有部分导电凸点扇出至所述厚胶层上方，所述金属布线层通过所述介质层上形成的开口与所述芯片的焊垫电连接，所述导电凸点通过所述钝化层上形成的开口与所述金属布线层电连接。

5.根据权利要求1或3所述的芯片嵌入硅基式扇出型封装结构，其特征在于，所述厚胶层为不可光刻胶，且该厚胶层包覆所述芯片侧面并填充入所述芯片侧面与所述凹槽A之间的间隙内；所述厚胶层及所述芯片的焊盘面上铺设有介质层，所述介质层上依次设置有金属布线层、钝化层及导电凸点，且至少有部分导电凸点扇出至所述厚胶层上方，所述金属布线层通过所述介质层上形成的开口与所述芯片的焊垫电连接，所述导电凸点通过所述钝化层上形成的开口与所述金属布线层电连接。

6.根据权利要求1或3所述的芯片嵌入硅基式扇出型封装结构，其特征在于，所述厚胶层为不可光刻胶，且该厚胶层包覆所述芯片的焊盘面及侧面，并填充入所述芯片侧面与所述凹槽A之间的间隙内；所述厚胶层上依次设置有金属布线层、钝化层及导电凸点，且至少有部分导电凸点扇出至所述厚胶层上方，所述金属布线层通过所述厚胶层上形成的开口与所述芯片的焊垫电连接，所述导电凸点通过所述钝化层上形成的开口与所述金属布线层电连接。

7.根据权利要求1所述的一种芯片嵌入硅基式扇出型封装结构，其特征在于，所述芯片的焊盘面相对的非焊盘面通过黏结胶结合于所述凹槽A的底部。