[实用新型]通过混合多芯片集成的紧凑型光收发器

权利要求书

1.一种通过混合多芯片集成的光收发器，其特征在于，包括：

Si光子芯片，附着在PCB上；

第一TSV插入器和第二TSV插入器，分别附着在PCB上的所述Si光子芯片附近；

驱动器芯片，通过第一组凸块部分地倒装键合在所述Si光子芯片上并通过第二组凸块部分地倒装键合在第一TSV插入器上；以及

跨阻抗放大器模块芯片，通过第三组凸块部分地倒装键合在所述Si光子芯片上并通过第四组凸块部分地倒装键合在第二TSV插入器上。

2.根据权利要求1所述的光收发器，其特征在于，所述Si光子芯片包括嵌入在SOI晶片内部并分别耦接至形成在所述SOI晶片的顶部表面上的多个第一导电焊盘和多个第二导电焊盘的调制器和光电二极管。

3.根据权利要求2所述的光收发器，其特征在于，所述第一组凸块包括沿着标称方向以交错的方式与一个或多个第一接地凸块交替地布置的一个或多个第一信号凸块，每个第一信号凸块被焊接到连接至在所述Si光子芯片上的第一传输线的一个第一传输导电焊盘，并且每个第一接地凸块被焊接到连接至在所述Si光子芯片上的第一GND平面的相邻的一个第一导电焊盘，所述第一传输线具有小于第一GND平面的宽度的第一宽度。

4.根据权利要求3所述的光收发器，其特征在于，所述第一传输线包括直接连接至所述第一导电焊盘中的相应一个第一导电焊盘的第一迹线部分，所述第一迹线部分具有所述第一宽度的至少一半的减小的宽度，导致减小的寄生电容和增强的电感，所述减小的寄生电容和所述增强的电感与在顶部的所述驱动器芯片和在底部的连接至嵌入其内的调制器的所述Si光子芯片之间的所述第一信号凸块连接相关联。

5.根据权利要求3所述的光收发器，其特征在于，所述第一GND平面包括围绕所述第一导电焊盘中的相应一个第一导电焊盘的切口部分，使得在所述Si光子芯片上的所述第一GND平面不与在所述驱动器芯片上的另一GND平面重叠，导致减小的寄生电容和增强的电感，所述减小的寄生电容和所述增强的电感与在顶部的所述驱动器芯片和在底部的连接至嵌入其内的调制器的所述Si光子芯片之间的第一接地凸块连接相关联。

6.根据权利要求3所述的光收发器，其特征在于，所述第一和第二组凸块中的每个具有沿着所述标称方向相对于相邻凸块的第一节距距离和沿着垂直方向相对于相同的相邻凸块的第二节距距离，所述第一节距距离等于所述第二节距距离。

7.根据权利要求1所述的光收发器，其特征在于，所述第二组凸块包括：一个第二信号凸块，焊接到在PCB中的第一TSV插入器的一个连接至一个或多个用于信号传输的互连线的键合焊盘；以及一个第二接地凸块，其焊接到所述第一TSV插入器的另一个连接至接地线的键合焊盘。

8.根据权利要求2所述的光收发器，其特征在于，所述第三组凸块包括一个或多个第三信号凸块，沿着标称方向以交错的方式与一个或多个第三接地凸块交替地布置，每个第三信号凸块被焊接到连接至在所述Si光子芯片上的第二传输线的一个第二传输导电焊盘，并且每个第三接地凸块被焊接到连接至在所述Si光子芯片上的第二GND平面的相邻的一个第二导电焊盘，所述第二传输线具有小于第二GND平面的宽度的第二宽度。

9.根据权利要求8所述的光收发器，其特征在于，所述第二传输线包括直接连接至所述第二导电焊盘中的相应一个第二导电焊盘的第二迹线部分，所述第二迹线部分具有所述第二宽度的至少一半的减小的宽度，导致减小的寄生电容和增强的电感，所述减小的寄生电容和所述增强的电感与在顶部的所述跨阻抗放大器模块芯片和在底部的连接至嵌入其内的光电二极管的所述Si光子芯片之间的第三信号凸块连接相关联。

10.根据权利要求8所述的光收发器，其特征在于，所述第二GND平面包括围绕所述第二导电焊盘中的相应一个第二导电焊盘的切口部分，使得在所述Si光子芯片上的所述第二GND平面不与在所述跨阻抗放大器模块芯片上的另一GND平面重叠，导致减小的寄生电容和增强的电感，所述减小的寄生电容和所述增强的电感与在顶部的所述跨阻抗放大器模块芯片和在底部的连接至嵌入其内的光电二极管的所述Si光子芯片之间的第三接地凸块连接相关联。