[实用新型]一种晶圆片级芯片规模封装结构有效
| 申请号： | 201720228557.X | 申请日： | 2017-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN207320093U | 公开（公告）日： | 2018-05-04 |
| 发明（设计）人： | 吴政达;林正忠 | 申请（专利权）人： | 中芯长电半导体（江阴）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/488;H01L21/56;H01L21/78 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙)31219 | 代理人： | 姚艳 |
| 地址： | 214437 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 晶圆片级 芯片 规模 封装 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶圆片级芯片规模封装结构，其特征在于，所述晶圆片级芯片规模封装结构至少包括：
芯片；
覆盖于所述芯片上表面的重新布线层；
形成于所述重新布线层上表面的多个焊料球，且所述焊料球通过所述重新布线层实现与所述芯片的电性连接；
包围于所述重新布线层上表面和侧壁以及所述芯片侧壁且围住每个焊料球的第一塑封层；以及
形成于所述芯片下表面的第二塑封层，且所述第二塑封层与所述第一塑封层无缝连接，从而形成包围所述芯片六个表面的晶圆片级芯片规模封装结构。
2.根据权利要求1所述的晶圆片级芯片规模封装结构，其特征在于，所述第一塑封层和所述第二塑封层采用相同的材料。
3.根据权利要求1所述的晶圆片级芯片规模封装结构，其特征在于，所述第一塑封层适于通过围住所述焊料球形成相应的开孔，所述焊料球的一部分暴露在所述开孔外，另一部分位于所述开孔内，且位于所述开孔周围的部分第一塑封层向上隆起并与所述焊料球紧密贴合。
4.根据权利要求3所述的晶圆片级芯片规模封装结构，其特征在于，位于所述开孔周围的部分第一塑封层向上隆起至所述焊料球的腰部高度，并紧密贴合在所述焊料球的腰部。
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