[实用新型]多晶硅还原炉电极

权利要求书

1.多晶硅还原炉电极，其特征在于：其包括能与石墨座锥孔配合的锥头，及中心设置有水冷空腔的电极体，所述电极体周围穿套有绝缘套筒且其与锥头固定相连，其中电极体与锥头对接相连的一段为连接段；该连接段与锥头外表面均设置有粗化层，所述连接段与锥头粗化层上分别喷涂有结合层，结合层的外表面设置有外涂层，所述外涂层包括第一外涂层及第二外涂层；

其中，所述第一外涂层为锥头外围设置导体层，第二外涂层为连接段外围设置由纯陶瓷粉末制成的绝缘层。

2.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉电极，其特征在于：所述结合层均为纯银粉末为原料制成的喷涂层。

3.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉电极，其特征在于：所述结合层为镍、铝合金任意一种金属材料制成的喷涂层。

4.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉电极，其特征在于：所述第一外涂层为纯银粉末为原料制成的喷涂层。

5.根据权利要求1至4任意一项所述的多晶硅还原炉电极，其特征在于：所述结合层的粗度范围为20～40μm，外涂层的粗度范围为48～115μm。

6.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉电极，其特征在于：所述粗化层为采用喷砂或抛丸工艺所形成的不规则凹凸层。