[实用新型]光触控显示屏以及光触控显示屏系统有效
申请号: | 201720234763.1 | 申请日: | 2017-03-10 |
公开(公告)号: | CN206558505U | 公开(公告)日: | 2017-10-13 |
发明(设计)人: | 潘爱军 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;G06F3/042 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人: | 唐清凯 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光触控 显示屏 以及 系统 | ||
技术领域
本实用新型涉及触控技术领域,特别是涉及一种光触控显示屏以及光触控显示屏系统。
背景技术
近年来,随着信息技术、无线通讯和信息家电的快速发展与应用,为了达到更便利、体积更轻巧化以及更人性化的目的,许多信息产品已有传统的键盘或鼠标等输入装置,转变为使用触控面板作为输入装置。其中,触控显示屏作为最流行的触控面板,已广泛的使用在个人数字助理器、智能型行动电话以及卫星导航等消费性电子产品上。
目前触控显示屏(无论是电阻式、电容式、红外线式或者声波表面式)是依靠识别手指与触摸显示屏接触前后对应的参数变化来判断具体的位置信息,实现触控的目的。但是其无法实现远距离操作,无法实现隔空触控。
实用新型内容
基于此,有必要针对现有技术中无法实现隔空触控的问题,提供一种可以隔空触控的光触控显示屏。
一种光触控显示屏,包括:
阵列基板,具有像素区以及非像素区;
有机显示单元,包括若干位于所述阵列基板的像素区的像素结构;
光触控单元,在指定波长的光照射下而触发形成触控位置信号;所述光触控单元包括若干形成于所述阵列基板的非像素区中的光电二极管。
上述光触控显示屏,在有机显示的阵列基板上集成光电二极管,利用光电二极管侦测指定波长的光照而触发形成位置信息,从而实现触控,由于采用光触控的方式,故而可以实现远距离、隔空操作,不用与光触控显示屏接触。上述光触控显示屏,可以应用于户外触控显示,亦或是其它不方便手指触控的地方,例如化学实验室、化学车间等;增加了触控显示屏的应用场合。另外,上述光触控显示屏,不需要额外设置一层触控屏,可以有效降低整体厚度,并且可以在形成阵列基板的同时形成光电二极管,制备工艺流程简化。
在其中一个实施例中,所述像素结构与所述光电二极管一一对应设置。
在其中一个实施例中,所述像素结构包括红光子像素、绿光子像素、以及蓝光子像素;所述阵列基板的像素区具有与所述红光子像素对应的红光薄膜晶体管、与所述绿光子像素对应的绿光薄膜晶体管、以及与所述蓝光子像素对应的蓝光薄膜晶体管。
在其中一个实施例中,所述红光薄膜晶体管、绿光薄膜晶体管、蓝光薄膜晶体管、以及所述光电二极管直线排列。
在其中一个实施例中,所述红光薄膜晶体管、绿光薄膜晶体管、蓝光薄膜晶体管、以及所述光电二极管分别位于一方形的四角。
在其中一个实施例中,所述光电二极管的阈值电流为8~12mA。
在其中一个实施例中,所述阵列基板为低温多晶硅基板。
在其中一个实施例中,所述有机显示单元为顶发光有机发光显示单元。
本实用新型还提供了一种光触控显示屏系统。
一种光触控显示屏系统,包括本实用新型所提供的光触控显示屏以及用于照射所述光电二极管的光控制器。
上述光触控显示屏系统,由于包含本实用新型所提供的光触控显示屏,在光控制器的照射下,触发对应的光电二极管产生位置信号,从而实现远距离、隔空触控。
在其中一个实施例中,所述光控制器为激光笔。
附图说明
图1为本实用新型一实施例的光触控显示屏的截面结构示意图。
图2为图1的光触控显示屏的薄膜晶体管以及光电二极管的排布图。
图3为本实用新型另一实施例的光触控显示屏的薄膜晶体管以及光电二极管的排布图。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合具体实施方式,对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施方式仅仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。
除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本实用新型的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本实用新型的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的,不是旨在于限制本实用新型。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
参见图1,本实用新型一实施例的光触控显示屏1000,包括阵列基板100、有机显示单元200、光触控单元。
其中,阵列基板100的主要作用是,为有机显示单元200以及光触控单元提供承载,同时对有机显示单元200进行控制。阵列基板100具有像素区101以及非像素区102。也就是说,在阵列基板110上划分出若干像素区101以及若干非像素区102。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的