[实用新型]一种可拆卸金属爪式石英载片盘有效
申请号: | 201720247162.4 | 申请日: | 2017-03-14 |
公开(公告)号: | CN207458903U | 公开(公告)日: | 2018-06-05 |
发明(设计)人: | 陈瑶;李其凡;程淋 | 申请(专利权)人: | 浙江水晶光电科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673;H01L21/683 |
代理公司: | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人: | 尉伟敏 |
地址: | 318000 浙江省台州市椒*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 金属爪 刻蚀晶片 金属环 石英载片 可拆卸 小金属 载片盘 本实用新型 金属圆环 离子电浆 耐刻蚀性 直接支撑 均一性 石英 刻蚀 | ||
本实用新型公开了一种可拆卸金属爪式石英载片盘,包括金属环及与金属环一体的四个小金属爪和一个大金属爪,小金属爪和大金属爪均匀分布在金属圆环上,金属环的五个金属爪直接支撑待刻蚀晶片,石英不与待刻蚀晶片直接接触,晶片刻蚀过程中刻蚀反应的离子电浆均匀,使刻蚀晶片表面的均一性得到提升25%以上,同时增加载片盘的耐刻蚀性,提升载片盘寿命。
技术领域
本实用新型涉及蓝宝石衬底刻蚀技术领域,尤其是涉及一种可拆卸金属爪式石英载片盘。
背景技术
LED(发光二极管)图形化蓝宝石衬底是在蓝宝石抛光片上通过黄光制程和刻蚀技术在蓝宝石表面形成阵列图形。图形化蓝宝石衬底可以大幅度提高LED的亮度,是目前半导体照明产业的主流衬底加工技术。在干法刻蚀工艺中,通过生产设备上、下电极,产生射频电源,使处在电极之间的晶片产生等离子电浆,利用气体分子或其产生的离子及自由基,对晶圆上的材质进行物理式撞击溅蚀及化学反应,来移除蚀刻部份。被蚀刻的物质变成挥发性的气体,经真空系统抽离,从而得到我们想要的衬底。在蚀刻过程中,需要一种载盘,将待刻蚀晶片固定。目前蚀刻工艺中,采用一种镂空式石英载片盘,将待刻蚀晶片放置在载片盘上,再在晶片背面放置金属铝块,用于晶片固定以及在蚀刻过程中的晶片冷却。纯石英式的载片盘在蚀刻过程中,由于其导电性问题,在蚀刻反应中会产生干扰电流,影响电浆反应,从而造成其刻蚀均一性差;另外纯石英式载片盘由于石英的物理性质,在载片盘与晶片接触部分经过频繁的上下片操作过程,易发生破损而影响载盘寿命。因此需要提供一种装置,减少蚀刻反应中的干扰电流,使反应过程中电浆更均匀,同时防止上下片过程中造成的石英盘破损现象,提升载片盘寿命。
实用新型内容
本实用新型的第一个目的是减少蓝宝石衬底蚀刻反应中的干扰电流,使反应过程中电浆更均匀,以提升产品均一性。
本实用新型的第二个目的是减少上下片过程中造成的石英盘破损现象,增加载片盘的耐刻蚀性,提升载片盘寿命。
为了实现上述目的,本实用新型采用以下技术方案:
一种可拆卸金属爪式石英载片盘,包括金属圆环及与金属圆环一体的四个小金属爪、一个大金属爪及石英载片孔,小金属爪和大金属爪沿金属圆环圆周方向均匀分布在金属圆环上,蓝宝石抛光片的形状为带切边的圆形,金属圆环上的大金属爪的宽度与圆形蓝宝石抛光片的切边一致,金属圆环金属圆环中间沿圆周方向设置凹槽,密封圈与金属圆环中间凹槽配合,密封圈略凸出于金属圆环外表面,密封圈的材质为有一定弹性的橡胶,密封圈与金属圆环凹槽配合后,整体嵌入石英载片孔,且石英载片孔的尺寸小于金属圆环的尺寸,金属圆环整体嵌入石英载片孔后,石英载片孔凸出部分支撑金属圆环;石英载片孔上沿圆周方向开有与金属圆环上的四个小金属爪和一个大金属爪尺寸一致的四个小孔和一个大孔,可以使金属圆环与石英盘配合,金属圆环拆卸过程不会损伤石英盘,之后将待刻蚀晶片放置在石英载片盘上,由于金属圆环的五个金属爪朝向金属圆环中心凸出于金属圆环,五个金属爪直接支撑待刻蚀晶片,石英不与待刻蚀晶片直接接触,再在晶片背面放置金属铝块,用于晶片固定以及在蚀刻过程中的晶片冷却。
作为优选,所述可拆卸金属爪式石英载片盘的石英载片孔的尺寸小于金属圆环的尺寸,石英盘凸出部分支撑金属圆环,金属圆环的五个金属爪凸出于金属圆环,五个金属爪直接支撑待刻蚀晶片,石英不与待刻蚀晶片直接接触,由于金属的导电性要明显优于石英,金属可以减少蚀刻反应中的干扰电流,因此该载片盘在刻蚀过程中能使刻蚀反应的离子电浆更均匀,使刻蚀晶片表面的均一性得到提升25%以上。
作为优选,所述可拆卸金属爪式石英载片盘,将晶片与载片盘接触部分变成金属爪,可防止上下片过程中造成的石英盘破损现象,同时增加载片盘的耐刻蚀性,提升载片盘寿命;金属爪部分无需每次上下片时拆卸,仅在需要清洗时拆下即可。由于金属的耐刻蚀性也要优于石英,其在使用寿命上比原先纯石英的载片盘提升了1.5倍以上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造