[实用新型]一种新型高压双极单管结构

权利要求书

1.一种新型高压双极单管结构，其特征在于：包括基板（1）和氧化层（9），所述基板（1）上设置有的埋层（2），所述埋层（2）上方靠近氧化层（9）的一侧上设置有磷桥（3）和P-基区（4），所述P-基区（4）上设置有P基区（41），所述P基区（41）上设置有N+发射区（42），所述磷桥（3）与埋层（2）相连；所述P-基区（4）外环绕设置有第一N+环（5），所述第一N+环（5）外环绕设置有第一P-环（6），所述磷桥（3）外环绕设置有第二P-环（61），所述第一P-环（6）和第二P-环（61）外环绕设置有第二N+环（51），所述基板（1）和氧化层（9）之间填充设置有外延层（7）。

2.根据权利要求1所述的一种新型高压双极单管结构，其特征在于：所述第一P-环（6）和第二P-环（61）的相连通。

3.根据权利要求1所述的一种新型高压双极单管结构，其特征在于：所述氧化层（9）上设置有第一引线端（91）、第二引线端（92）和第三引线端（93），所述第一引线端（91）穿过氧化层（9）与磷桥（3）相连，所述第二引线端（92）穿过氧化层（9）与P基区（41）相连，所述第三引线端（93）穿过氧化层（9）与N+发射区（42）相连。

4.根据权利要求1所述的一种新型高压双极单管结构，其特征在于：所述第二N+环（51）外环绕设置有隔离层（8），所述隔离层（8）的上下两侧分别与基板（1）以及氧化层（9）相连。