[实用新型]从存储器中读取配置信息的控制系统及芯片

说明书

技术领域

本实用新型涉及存储器领域，具体而言，涉及一种从存储器中读取配置信息的控制系统及芯片。

背景技术

在本领域，随着集成电路设计技术和半导体制造工艺的进步，越来越多的电路可以集成在一块芯片上，大幅降低了系统的成本，并提高了系统的可靠性。在芯片设计中，系统配置信息用于区分产品方向、特性等以适用于不同的应用场景，这些系统配置信息通常存储在非易失存储器(NVM，Non-Volatile Memory)中。由于其中有一些配置信息用于作为芯片特殊功能开启或者关闭的条件，如果这些特殊功能是受保护的，则容易被黑客关注，那么这些配置信息可以称之为敏感配置信息。系统配置信息可以在上电启动的过程中有硬件自动从NVM中读取，也可能在系统正常运行之后由软件触发从NVM中读取。总之，系统的正常运行要求在获取系统配置信息的过程中是稳定可靠的。

NVM作为存储逻辑单元，供电电压的稳定性能够直接影响到从NVM中读取数据的稳定性。对于常见的NVM的器件(例如，OTP、eFuse、eFlash和EEPROM等)，如果供电电压低于其规格书所要求的最低阈值时，NVM的存储单元由于供电电流不足导致读出来的有可能还是初始值，即烧写前的状态。例如，OTP单元的初始值是0，经过成功烧写后变成1，但是在较低供电电压的工作状况下，读回来的值就可能变成0。

通常，在SOC(System on Chip)架构中，NVM作为一个内嵌IP(Intellectual Properties)模块存在于SOC中，是一个Hard Macro来自于第三方，由于IP本身不涵盖低电压检测及保护功能，因而，来自黑客的低电压攻击会导致NVM中的数据读取不正常，NVM中的系统配置信息(特别是敏感的配置信息)同样会受到低电压攻击，使得系统变得薄弱，导致一些待保护的信息或者模块就在黑客面前暴露无遗。

针对上述现有技术在从NVM(非易失存储器)中读取系统配置信息的过程中无法抵御低电压攻击的问题，目前尚未提出有效的解决方案。

实用新型内容

本实用新型实施例提供了一种从存储器中读取配置信息的控制系统及芯片，以至少解决现有技术在从NVM(非易失存储器)中读取系统配置信息的过程中无法抵御低电压攻击的技术问题。

根据本实用新型实施例的另一方面，提供了一种从存储器中读取配置信息的控制系统，包括：第一存储单元，用于存储预烧值；第二存储单元，用于存储配置信息；第一寄存器，与第一存储单元连接，用于锁存从第一存储单元中读取到的第一存储值；第二寄存器，与第二存储单元连接，用于锁存从第二存储单元中读取到的第二存储值；控制电路，用于判断第一存储值是否等于预烧值，并在第一存储值等于预烧值的情况下，根据第二存储值与存储器的初始状态值确定输出的配置信息的状态值，其中，状态值用于表征配置信息是否有效；其中，预烧值为预先在第一存储单元烧录的与存储器的初始状态值相反的一个值。

根据本实用新型实施例的另一方面，还提供了一种芯片，包括：上述所述的从存储器中读取配置信息的控制系统。

在本实用新型实施例中，通过在第一存储单元中预先烧录一个与该存储器的初始状态相反的一个值(即预烧值)，当需要从第二存储单元中读取配置信息时，首先通过第一寄存器从第一存储单元中读取到的第一存储值，并传输至控制电路，控制电路比较从第一存储单元1读取的存储值是否与预先烧录的预烧值相等，并在从第一存储单元1读取的存储值等于预烧值的情况下，根据从存储器的第二存储单元2读取的第二存储值(配置信息)和该存储器的初始状态值确定最终输出用于表征配置信息是否有效的状态值，达到了依据存储器预烧区域读取的存储值来判断存储器当前是否处于异常低电压，并根据判断结果来确定从该存储器中读取的系统配置信息是否有效的目的，从而实现了防止低供电电压攻击从存储器中读取系统配置信息的技术效果，进而解决了现有技术在从NVM(非易失存储器)中读取系统配置信息的过程中无法抵御低电压攻击的技术问题。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本实用新型的进一步理解，构成本申请的一部分，本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中：

图1是根据本实用新型实施例的一种从存储器中读取配置信息的控制系统示意图；

图2是根据本实用新型实施例的一种可选的从存储器中读取配置信息的控制系统示意图；以及

图3是根据本实用新型实施例的一种从存储器中读取配置信息工作原理示意图。

具体实施方式