[实用新型]电平转换驱动电路有效

专利信息
申请号: 201720256611.1 申请日: 2017-03-16
公开(公告)号: CN206595983U 公开(公告)日: 2017-10-27
发明(设计)人: 陆建华;马杰;徐毅 申请(专利权)人: 上海安其威微电子科技有限公司
主分类号: H03K19/0185 分类号: H03K19/0185
代理公司: 上海华诚知识产权代理有限公司31300 代理人: 肖华
地址: 201203 上海市浦东新区*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 电平 转换 驱动 电路
【权利要求书】:

1.一种电平转换驱动电路,其特征在于,包括:

输入级反相器,其输入端作为所述电平转换驱动电路的输入端,

电平锁存器,其第一输入端与所述输入级反相器的输入端连接,第二输入端与所述输入级反相器的输出端连接;

第一中间缓冲电路,其第二输入端与所述电平锁存器的第二输出端连接,

第二中间缓冲电路,其第二输入端与所述电平锁存器的第一输出端连接,

电平转换锁存器,其第一输入端与所述第一中间缓冲电路的第三输出端连接,第二输入端与所述第二中间缓冲电路的第三输出端连接,第一输出端与所述第一中间缓冲电路的第一输入端连接,第二输出端与所述第二中间缓冲电路的第一输入端连接,

第一非交叠电平产生电路,其第一输入端与所述第一中间缓冲电路的第一输出端连接,第二输入端与所述第一中间缓冲电路的第二输出端连接,

第二非交叠电平产生电路,其第一输入端与所述第二中间缓冲电路的第一输出端连接,第二输入端与所述第二中间缓冲电路的第二输出端连接,

第一输出缓冲电路,其第一输入端与所述第一非交叠电平产生电路的第一输出端、所述第二非交叠电平产生电路的第二控制端连接,第二输入端与所述第一非交叠电平产生电路的第二输出端、所述第二非交叠电平产生电路的第三控制端连接,第一输出端与第二非交叠电平产生电路的第一控制端连接,第二输出端与第二非交叠电平产生电路的第四控制端连接,第三输入端作为所述电平转换驱动电路的第一输出端,以及

第二输出缓冲电路,其第一输入端与所述第二非交叠电平产生电路的第一输出端、所述第一非交叠电平产生电路的第二控制端连接,第二输入端与所述第二非交叠电平产生电路的第二输出端、所述第一非交叠电平产生电路的第三控制端连接,第一输出端与第一非交叠电平产生电路的第一控制端连接,第二输出端与第一非交叠电平产生电路的第四控制端连接,第三输入端作为所述电平转换驱动电路的第二输出端。

2.如权利要求1所述的电平转换驱动电路,其特征在于,

所述输入级反相器包括NMOS管和PMOS管,所述NMOS管的源极接地,漏极与所述PMOS管的漏极连接,栅极与所述PMOS管的栅极连接并作为所述输入级反相器的输入端,所述PMOS管的源极接入电平电压VDDLOW,所述NMOS管的漏极作为所述输入级反相器的输出端,

所述电平锁存器包括第一NMOS管、第二NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管和第四PMOS管,第一NMOS管的源极接地,漏极与第三PMOS管的漏极连接,栅极与第三PMOS管的栅极连接并作为所述电平锁存器的第一输入端,第二NMOS管的源极接地,漏极与第四PMOS管的漏极连接,栅极与第四PMOS管的栅极连接并作为所述电平锁存器的第二输入端,第一PMOS管的漏极与第三PMOS管的源极连接,栅极与第四PMOS管的漏极连接,源极接入电平电压VDDLOW,第二PMOS管的漏极与第四PMOS管的源极连接,栅极与第三PMOS管的漏极连接,源极接入电平电压VDDLOW,第三PMOS管的漏极作为所述电平锁存器的第一输出端,第四PMOS管的漏极作为所述电平锁存器的第二输出端。

3.如权利要求1或2所述的电平转换驱动电路,其特征在于,

所述第一中间缓冲电路、所述第二中间缓冲电路、所述第一输出缓冲电路、所述第二输出缓冲电路中的每一个均包括第一反相器、第二反相器和第三反相器,

对于所述第一中间缓冲电路、所述第二中间缓冲电路、所述第一输出缓冲电路、所述第二输出缓冲电路中的某一个缓冲电路而言,所述第一反相器的输入端作为所述某一个缓冲电路的第一输入端,输出端作为所述某一个缓冲电路的第一输出端,所述第二反相器的输入端所述某一个缓冲电路的第二输入端,输出端作为所述某一个缓冲电路的第二输出端,所述第一反相器的电源端和地端分别接电平电压VDDH和HALFVH,所述第二反相器的电源端和地端分别接电平电压HALFVH和地,所述第三反相器的电源端和地端分别连接所述第一反相器的输出端和所述第二反相器的输出端,输入端接电平电压HALFVH,输出端作为所述某一个缓冲电路的第三输出端。

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