[实用新型]一种微波放大器件

权利要求书

1.一种微波放大器件，其特征在于，包括匹配电路和微波放大电路，所述微波放大电路包括至少一个高电子迁移率晶体管，每个所述高电子迁移率晶体管包括：

衬底；

位于所述衬底上的半导体层，其中，所述半导体层包括有源区，所述有源区包括源区、漏区及源区与漏区之间的栅区，所述半导体层包括异质结构，异质界面形成二维电子气，所述栅区的半导体层上形成有凹槽，且所述凹槽下方半导体层的厚度大于满足增强型晶体管条件的厚度；

位于所述半导体层上两端的源极和漏极，且所述源极位于所述源区上，所述漏极位于所述漏区上，所述源极或所述漏极与微波放大电路输出端电连接；

位于所述凹槽中的第一介质层；

位于所述第一介质层上的浮栅，用于存储电子，得到增强型高电子迁移率晶体管；

包覆所述浮栅和所述第一介质层的第二介质层；

位于所述第二介质层上的控制栅，所述控制栅与所述匹配电路电连接。

2.根据权利要求1所述的微波放大器件，其特征在于，还包括谐波处理电路，所述谐波处理电路包括至少一个谐波处理单元，每个谐波处理单元的一端与所述高电子迁移率晶体管的控制栅电连接，另一端接地。

3.根据权利要求2所述的微波放大器件，其特征在于，所述谐波处理单元包括串联的电阻和电感。

4.根据权利要求1所述的微波放大器件，其特征在于，所述半导体层包括：

位于所述衬底上的成核层；

位于所述成核层上的GaN缓冲层；

位于所述GaN缓冲层上的AlGaN隔离层；

其中，所述GaN缓冲层和所述AlGaN隔离层构成AlGaN/GaN异质结构，所述凹槽下方的所述AlGaN隔离层的厚度为5nm～30nm。

5.根据权利要求1所述的微波放大器件，其特征在于，所述浮栅材料为半绝缘材料层。

6.根据权利要求5所述的微波放大器件，其特征在于，所述浮栅材料包括富氧多晶硅或富硅的氮化硅。

7.根据权利要求1所述的微波放大器件，其特征在于，所述浮栅的一侧形成有电子输入焊盘。