[实用新型]一种氧化法连续制备纳米SiO2的装置有效

专利信息
申请号: 201720261517.5 申请日: 2017-03-17
公开(公告)号: CN206590908U 公开(公告)日: 2017-10-27
发明(设计)人: 彭兴东;张雪健;边迪;韩远昆;余东 申请(专利权)人: 辽宁科技大学
主分类号: C01B33/18 分类号: C01B33/18;B82Y30/00
代理公司: 沈阳亚泰专利商标代理有限公司21107 代理人: 周涛
地址: 114051 辽宁*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 一种 氧化 连续 制备 纳米 sio2 装置
【权利要求书】:

1.一种氧化法连续制备纳米SiO2的装置,包括加料熔炼系统,其特征在于:加料熔炼系统上方通过烟气通道依次与废气放散系统和分级收集系统相连,废弃放散系统和分级收集系统之间设置有放散阀。

2.根据权利要求1所述一种氧化法连续制备纳米SiO2的装置,其特征在于:所述加料熔炼系统包括中频感应炉,中频感应炉内设置有坩埚,坩埚上方设置有密封罩,密封罩上和坩埚底部均设置有与氧气站相连的送气管;相应于坩埚的侧方设置有加料台;所述废气放散系统包括与烟气通道相连的水冷烟道、吸风装置和放散管;所述分级收集系统包括多个与抽风机相连的布袋收集装置,布袋收集装置外设置具有抽风机的反吹清灰装置;布袋收集装置之间的烟气通道内设置有分级筛网,布袋收集装置的底部设置具有喷雾装置的加密室。

3.根据权利要求2所述一种氧化法连续制备纳米SiO2的装置,其特征在于:所述的加料熔炼系统和废气放散系统还设置有测温仪,所述的氧气站还设置有测压仪器。

4.根据权利要求2所述一种氧化法连续制备纳米SiO2的装置,其特征在于:所述送气管包括密封罩上方与卷扬机构相连的上送气管和坩埚底部的双吹气管。

5.根据权利要求2所述一种氧化法连续制备纳米SiO2的装置,其特征在于:所述烟气通道上还设置有吸风降温阀。

6.根据权利要求2所述一种氧化法连续制备纳米SiO2的装置,其特征在于:所述坩埚包括与升降系统相连的石墨坩埚,石墨坩埚底部设置有漏孔,石墨坩埚底部外设置有BN或ZrB质坩埚。

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