[实用新型]一种低功耗的信号控制开机电路有效
申请号: | 201720265254.5 | 申请日: | 2017-03-18 |
公开(公告)号: | CN206640342U | 公开(公告)日: | 2017-11-14 |
发明(设计)人: | 赵志良;谢国鹏;杨牧 | 申请(专利权)人: | 西安甘鑫电子科技有限公司 |
主分类号: | H02J7/00 | 分类号: | H02J7/00;H03K17/06;H03K17/081;H03K17/687 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 功耗 信号 控制 开机 电路 | ||
技术领域
本实用新型属于电池供电开机电路技术领域,具体涉及一种低功耗的信号控制开机电路。
背景技术
随着电子设备尤其通信电源整流模块朝着高功率、低成本和低待机功耗的方向发展,如何有效的降低电源功耗越来越受到关注,且目前许多电子设备具有用电池供电的一键开机电路,一键开机电路存在一定的功耗,长时间待机时电池电量容易损耗,无法满足电子设备长时间待机的功能,降低了电子设备的使用率,同时使用者造成很多不便。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题在于针对上述现有技术中的不足,提供一种低功耗的信号控制开机电路,该低功耗的信号控制开机电路在控制信号CTL为高电平或者悬空时,电子开关PMOS管Q1处于截止状态,控制信号CTL为低电平时,电子开关PMOS管Q1导通,电源输入端Vin电压等于电源输出端Vout电压,这样可有效降低电子设备在长时间待机时对电池电量造成损耗的现象,能够大大提高了电池的利用时间。
为解决上述技术问题,本实用新型采用的技术方案是:一种低功耗的信号控制开机电路,其特征在于:包括采用PMOS管Q1作为电子开关的电子开关电路、用于维持PMOS管Q1导通的导通维持电路和用于保护电子开关电路的稳压保护电路,所述电子开关电路的输入端与控制信号CTL连接;
所述电子开关电路包括作为电子开关的PMOS管Q1、以及用于控制PMOS管Q1导通或截止的电阻R2、电阻R3和NMOS管Q2,所述PMOS管Q1的源极和漏极分别与电源输入端Vin和电源输出端Vout连接,所述PMOS管Q1的源极与电阻R2一端连接,所述电阻R2另一端经电阻R3与所述NMOS管Q2的漏极连接,所述PMOS管Q1的栅极与所述电阻R2和电阻R3的连接端连接,所述控制信号CTL与电阻R3与所述NMOS管Q2的漏极连接端连接,所述NMOS管Q2的栅极与PMOS管Q1的漏极连接,所述NMOS管Q2的源极接地。
本实用新型的特点还在于:
所述导通维持电路包括电阻R1、电容C1、二极管D1、电阻R4和电阻R5,所述电阻R1并联于电阻R2和电阻R3的两端,所述二极管D1的正极与所述PMOS管Q1的漏极连接,所述二极管D1的负极与电阻R4一端连接,所述电阻R4另一端与所述NMOS管Q2的栅极连接,所述电阻R4另一端还经电阻R5接地,所述电阻R4另一端还经电容C1接地。
所述稳压保护电路包括与所述PMOS管Q1源极和栅极并联的反向稳压二极管ZD1。
所述稳压保护电路还包括与所述电容C1并联的反向稳压二极管ZD2。
所述稳压保护电路还包括与所述NMOS管Q2漏极和源极并联的反向二极管D2。
本实用新型与现有技术相比具有以下优点:
1.本实用新型结构简单,使用方便,控制信号CTL为高电平或者悬空时,开机电路处于截止状态,无回路导通,即电子设备处于长时间待机状态时电池电量无损耗,控制信号CTL为低电平时,开机电路处于导通状态,能够给电子设备正常供电,这样有效降低电子设备在长时间待机时对电池电量造成损耗的现象,提高了电池的利用时间。
2.本实用新型的导通维持电路能够保证控制信号CTL为低电平时,开机电路一直处于导通状态,同样也有效保证电子设备的正常工作。
综上所述,本实用新型结构简单且操作方便,投入成本少,结构设计合理,便于操作,使用效果好。
下面通过附图和实施例,对本实用新型的技术方案做进一步的详细描述。
附图说明
图1为本实用新型的电路原理图。
具体实施方式
如图1所示的一种低功耗的信号控制开机电路,包括采用PMOS管Q1作为电子开关的电子开关电路、用于维持PMOS管Q1导通的导通维持电路和用于保护电子开关电路的稳压保护电路,所述电子开关电路的输入端与控制信号CTL连接;
如图1所示,所述电子开关电路包括作为电子开关的PMOS管Q1、以及用于控制PMOS管Q1导通或截止的电阻R2、电阻R3和NMOS管Q2,所述PMOS管Q1的源极和漏极分别与电源输入端Vin和电源输出端Vout连接,所述PMOS管Q1的源极与电阻R2一端连接,所述电阻R2另一端经电阻R3与所述NMOS管Q2的漏极连接,所述PMOS管Q1的栅极与所述电阻R2和电阻R3的连接端连接,所述控制信号CTL与电阻R3与所述NMOS管Q2的漏极连接端连接,所述NMOS管Q2的栅极与PMOS管Q1的漏极连接,所述NMOS管Q2的源极接地。
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