[实用新型]一种浪涌抑制电源模块

说明书

技术领域

本实用新型属于电池模块电路技术领域，具体涉及一种浪涌抑制电源模块。

背景技术

军用机载、星载、弹载、舰载、车载等电器系统，由于应用场合电磁环境的特殊和高可靠要求，其电子系统在其电源供电系统电压发生瞬变时，必须能够正常可靠的工作，这一瞬变有具体的军标要求，典型的有美军标MIL-STD-1275B，英军标DEF-STAN-61-5，国军标GJB181-86和GJB181A-2003。以28V供电为例，瞬变包括尖峰和浪涌冲击，各标准典型瞬态要求如表一，表一典型瞬态要求

对于28V供电的一般电器系统，在不加任何保护的情况下，很难经受80V～100V的浪涌电压和±600V的脉冲电压冲击，所以设计一种电源模块对过高浪涌电压进行抑制，保证输出电压始终维持在设备允许的供电范围内是很有必要的，现有的浪涌抑制电源模块原理复杂、电子元件较多，尤其对军用机载、星载、弹载、舰载、车载等电器系统中适用性差。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题在于针对上述现有技术中的不足，提供一种浪涌抑制电源模块，该浪涌抑制电源模块能够起到浪涌抑制的作用，且浪涌抑制电路工作稳定、可靠，有效抑制尖峰脉冲电压或者浪涌电压，保证输出电压始终维持在设备允许的供电范围内，避免尖峰脉冲电压或者浪涌电压对电路造成损坏。

为解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案是：一种浪涌抑制电源模块，其特征在于：包括供电电源、与供电电源连接的EMI滤波器、与所述EMI滤波器连接的浪涌抑制电路和与浪涌抑制电路连接的信号转换传输单元，以及用于储蓄电能的电容储能电路；

所述浪涌抑制电路包括电子开关电路和尖峰脉冲保护电路，以及用于保护电子开关电路和尖峰脉冲保护电路的稳压保护电路；

所述电子开关电路包括PMOS管Q1，所述PMOS管Q1的源极为浪涌抑制电路的输入端且与EMI滤波器的输出端连接，所述PMOS管Q1的漏极为浪涌抑制电路的输出端且与信号转换传输单元的输入端连接；

所述尖峰脉冲保护电路包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、三极管Q2、三极管Q3和电容C2，所述PMOS管Q1的源极分两路，一路经电阻R1与PMOS管Q1的栅极的连接，另一路经电阻R3、电阻R4与三极管Q3的集电极连接，所述电阻R2一端与PMOS管Q1的栅极和电阻R1的连接端相连，所述电阻R2另一端接地，所述三极管Q2的集电极与电阻R1和电阻R2的连接端相连，所述三极管Q2的发射极与电阻R1和电阻R3的连接端相连，所述三极管Q2的基极与电阻R3和电阻R4的连接端相连，所述电阻R5一端与所述PMOS管Q1的漏极连接，所述电阻R5另一端经电阻R6接地，所述三极管Q3的基极与所述电阻R5和电阻R6连接端相连，所述三极管Q3的发射极接地，所述电容C2一端与所述电阻R5和电阻R6连接端相连，所述电容C2另一端接地；

所述电容储能电路包括电容C，所述电容C一端与所述浪涌抑制电路的输出端与信号转换传输单元的输入端的连接端相连，所述电容C另一端接地。

本实用新型的特点还在于：

所述稳压保护电路包括与所述PMOS管Q1源极和栅极并联的反向稳压二极管ZD1。

所述稳压保护电路还包括与所述三极管Q3集电极和发射极并联的反向二极管ZD2。

还包括电容C1和二极管D1，所述二极管D1的阳极与EMI滤波器的输出端连接，所述二极管D1的阴极与PMOS管Q1的源极连接，所述电容C1的一端与二极管D1与PMOS管Q1的源极连接端相连，所述电容C1的另一端接地。

所述EMI滤波器的输出端与浪涌抑制电路的输入端连接有二极管D。

本实用新型与现有技术相比具有以下优点：

1.本实用新型结构简单，使用方便，当供电电源电压为正常值时，浪涌抑制电路中电子开关电路中PMOS管Q1饱和导通，则浪涌抑制电路输出端电压值等于输入端电压值，当电源出现尖峰脉冲或者浪涌电压时，PMOS管Q1截止，浪涌抑制电路输出端电压值为零，这样有效保护了电子元件。

2.本实用新型的电容储能电路能够有效保证浪涌抑制电路处于截止状态时，电源模块的正常供电。

3.本实用新型的稳压保护电路能够有效防止PMOS管Q1、三极管Q3被击穿。

综上所述，本实用新型结构简单且操作方便，投入成本少，结构设计合理，便于操作，使用效果好。

下面通过附图和实施例，对本实用新型的技术方案做进一步的详细描述。