[实用新型]硅片去水膜设备有效
申请号: | 201720273826.4 | 申请日: | 2017-03-20 |
公开(公告)号: | CN206574675U | 公开(公告)日: | 2017-10-20 |
发明(设计)人: | 孙铁囤;汤平;姚伟忠 | 申请(专利权)人: | 常州亿晶光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 常州市英诺创信专利代理事务所(普通合伙)32258 | 代理人: | 郑云 |
地址: | 213000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 硅片 去水膜 设备 | ||
1.一种硅片去水膜设备,其特征在于:包括设置在机架(1)上的水槽(101),所述水槽(101)内设有用于输送硅片的输送辊(2),所述机架(1)上设有板体(3),所述板体(3)位于所述水槽(101)上方,所述板体(3)靠近输送辊(2)的一侧开设有进水道(4),所述板体(3)内设有集水腔(5),所述集水腔(5)与所述进水道(4)连通,所述板体(3)上设有排水口(6),所述排水口(6)与所述集水腔(5)连通,所述机架(1)上设有用于控制板体(3)靠近或者远离输送辊(2)的微调机构。
2.根据权利要求1所述的硅片去水膜设备,其特征在于:所述微调机构包括设置螺杆(7),所述螺杆(7)的一端螺纹连接在所述机架(1)上,所述螺杆(7)的另一端与所述板体(3)转动连接。
3.根据权利要求2所述的硅片去水膜设备,其特征在于:所述螺杆(7)上设有手轮(8)。
4.根据权利要求3所述的硅片去水膜设备,其特征在于:所述手轮(8)上设有滚花(9)。
5.根据权利要求2所述的硅片去水膜设备,其特征在于:所述板体(3)上设有导向柱(10),所述机架(1)上设有与所述导向柱(10)相匹配的导向套(11),所述导向柱(10)滑动设置在所述导向套(11)内。
6.根据权利要求1所述的硅片去水膜设备,其特征在于:所述进水道(4)沿硅片输送方向逐渐向下倾斜设置。
7.根据权利要求1所述的硅片去水膜设备,其特征在于:所述板体(3)由基板(12)和连接板(13)相互拼接而成,所述进水道(4)与所述集水腔(5)均设置在所述连接板(13)上。
8.根据权利要求1所述的硅片去水膜设备,其特征在于:所述板体(3)位于进水道(4)的一侧设有挡板(14)。
9.根据权利要求1所述的硅片去水膜设备,其特征在于:所述集水腔(5)的下底面为倾斜设置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造