[实用新型]电子蜡烛电路有效

专利信息
申请号: 201720274993.0 申请日: 2017-03-21
公开(公告)号: CN206533588U 公开(公告)日: 2017-09-29
发明(设计)人: 李超然;邱秀云;戴海微 申请(专利权)人: 温州聚宜创科技有限公司
主分类号: H05B33/08 分类号: H05B33/08
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 325000 浙江省温州市*** 国省代码: 浙江;33
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 电子 蜡烛 电路
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及电子蜡烛电路。

背景技术

现有的电子蜡烛电路结构复杂,成本高,使用时功耗大,对热量的识别灵敏度不高,控制比较困难,给人们带来了不便。

发明内容

本实用新型的目的是克服现有产品中的不足,提供一种结构简单、成本低、功耗小、灵敏度高,实用性强,具有热控风控双重功能的电子蜡烛电路。

为了达到上述目的,本实用新型是通过以下技术方案实现的:

本实用新型的电子蜡烛电路,包括电子蜡烛L、麦克风M、电容器C、热敏电阻器RM、电阻器R1、电阻器R2、电阻器R3、NPN三极管VT1、NPN三极管VT2、PNP三极管VD、发光二极管LED,麦克风M的一端连接地信号GND,麦克风M的另一端通过电阻器R1连接直流电源VCC,麦克风M的另一端还连接电容器C的一端,电容器C的另一端连接NPN三极管VT1的基极,NPN三极管VT1的发射极连接地信号GND,NPN三极管VT1的集电极连接NPN三极管VT2的基极,NPN三极管VT2的基极通过热敏电阻器RM连接直流电源VCC,NPN三极管VT2的基极还通过电阻器R3连接地信号GND,NPN三极管VT2的基极还连接PNP三极管VD的集电极,NPN三极管VT2的发射极连接地信号GND,NPN三极管VT2的集电极连接PNP三极管VD的基极,PNP三极管VD的发射极连接电子蜡烛L,PNP三极管VD的发射极还连接发光二极管LED的一端,发光二极管的另一端通过电阻R2连接直流电源VCC。

本实用新型的电阻器R1的阻值为6.8K欧姆,电阻器R2为6.8K欧姆,电阻器R3为3.3K欧姆。

本实用新型的热敏电阻器RM的最大阻值为100K欧姆。

本实用新型的电容器C为0.1微法。

本实用新型的直流电源VCC为5V。

本实用新型的有益效果如下:结构简单、成本低、功耗小、灵敏度高、实用性强、具有热控风控双重功能。

附图说明

图1为本实用新型的电路原理示意图。

具体实施方式

下面结合说明书附图对本实用新型的技术方案作进一步说明:

如图1所示,本实用新型的电子蜡烛电路,包括电子蜡烛L、麦克风M、电容器C、热敏电阻器RM、电阻器R1、电阻器R2、电阻器R3、NPN三极管VT1、NPN三极管VT2、PNP三极管VD、发光二极管LED,麦克风M的一端连接地信号GND,麦克风M的另一端通过电阻器R1连接直流电源VCC,麦克风M的另一端还连接电容器C的一端,电容器C的另一端连接NPN三极管VT1的基极,NPN三极管VT1的发射极连接地信号GND,NPN三极管VT1的集电极连接NPN三极管VT2的基极,NPN三极管VT2的基极通过热敏电阻器RM连接直流电源VCC,NPN三极管VT2的基极还通过电阻器R3连接地信号GND,NPN三极管VT2的基极还连接PNP三极管VD的集电极,NPN三极管VT2的发射极连接地信号GND,NPN三极管VT2的集电极连接PNP三极管VD的基极,PNP三极管VD的发射极连接电子蜡烛L,PNP三极管VD的发射极还连接发光二极管LED的一端,发光二极管的另一端通过电阻R2连接直流电源VCC。

本实用新型的电阻器R1的阻值为6.8K欧姆,电阻器R2为6.8K欧姆,电阻器R3为3.3K欧姆。

本实用新型的热敏电阻器RM的最大阻值为100K欧姆。

本实用新型的电容器C为0.1微法。

本实用新型的直流电源VCC为5V。

本实用新型的有益效果如下:结构简单、成本低、功耗小、灵敏度高、实用性强、具有热控风控双重功能。

工作原理:

由PNP三极管VD和NPN三极管VT2构建一个模拟可控硅电路,模拟可控硅的触发极为NPN三极管VT2的基极,模拟可控硅的阳极为PNP三极管VD的发射极,模拟可控硅的阴极为NPN三极管VT2的发射极。

静态时,由于热敏电阻器RM的常态电阻比较大,与电阻器R3分压,使NPN三极管VT2不能得到所需基极电流而处于截止状态。当模拟点蜡烛时,热源靠近热敏电阻RM而使其阻值变小,为NPN三极管VT2提供所需基极电流,使NPN三极管VT2导通, NPN三极管VT2的集电极为PNP三极管VD提供基极电流使NPN三极管VD导通,PNP三极管饱和导通导致其集电极电流注入NPN三极管VT2,为NPN三极管VT2提供能打的基极电流从而使NPN三极管VT2饱和导通,从而形成强烈的正反馈,使发光二极管得到工作电流,使地址脑子蜡烛L点亮。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于温州聚宜创科技有限公司,未经温州聚宜创科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201720274993.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top