[实用新型]压力平衡的热制程设备有效
申请号: | 201720279366.6 | 申请日: | 2017-03-22 |
公开(公告)号: | CN206558483U | 公开(公告)日: | 2017-10-13 |
发明(设计)人: | 林武郎;郑煌玉;方建利;刘又玮;陈世敏 | 申请(专利权)人: | 技鼎股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司31002 | 代理人: | 王洁 |
地址: | 中国台湾新*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 压力 平衡 热制程 设备 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种热制程设备,特别是涉及一种压力平衡的热制程设备。
背景技术
快速热制程(Rapid Thermal Processing,RTP)是指以极快的速度加热晶圆表面,以达消除应力、退火等目的。为了保持制程的稳定性需提供气密腔体或真空环境,将晶圆置于其中。气密腔体的外侧以石英平板作为窗口,让灯管的灯光穿透石英平板以对气密腔体内的晶圆加热。然而,当制程需要更高温度或更低真空时会导致石英平板破裂,故石英平板必须随之增加厚度以承受高真空所导致的内外压力差。
实用新型内容
因此,为解决上述问题,本实用新型的目的即在提供一种压力平衡的热制程设备。
本实用新型为解决现有技术的问题所采用的技术手段提供一种压力平衡的热制程设备,用以形成高温气密环境以进行热处理,该热制程设备包含:气密腔体,包括一壁体以及二个透光石英板,该二个透光石英板隔设于该壁体内而分别与该壁体形成上均压腔室及下均压腔室,该二个透光石英板之间形成制程腔室,供放置热处理目标对象;载台,设置于该制程腔室中,用以载置该热处理目标对象;多数个具辐射穿透性的管材,分别设置于该上均压腔室及该下均压腔室;以及多数个加热组件,对应设置于该多数个管材的内部,通过该管材对该热处理目标对象进行热处理;其特征在于,该壁体或该二个透光石英板具有连通该制程腔室及该上均压腔室的上通道以及连通该制程腔室及该下均压腔室的下通道。
在本实用新型的实施例中提供一种压力平衡的热制程设备,该上通道及该下通道位于该二个透光石英板的边缘。
在本实用新型的实施例中提供一种压力平衡的热制程设备,该上通道及该下通道为螺纹通孔。
本实用新型的实施例中提供一种压力平衡的热制程设备,该上通道及该下通道为导槽。
本实用新型的实施例中提供一种压力平衡的热制程设备,该上通道及该下通道为导通管。
在本实用新型的实施例中提供一种压力平衡的热制程设备,该上通道及该下通道分别为多数个,沿该壁体的延伸方向排列。
在本实用新型的实施例中提供一种压力平衡的热制程设备,更具有盲盖构件,设置于该上通道及/或该下通道。
在本实用新型的实施例中提供一种压力平衡的热制程设备,各个该管材的一端接合于该上均压腔室或该下均压腔室而连通于外部空间,而使该多数个管材的内部与该上均压腔室及该下均压腔室相隔绝。
在本实用新型的实施例中提供一种压力平衡的热制程设备,该壁体具有制程气体通气口,连通于该制程腔室。
在本实用新型的实施例中提供一种压力平衡的热制程设备,还包括密封构件,密封设置在该气密腔体与该辐射穿透性的管材之间,使该加热组件可延伸至该气密腔体之外。
经由本实用新型所采用的技术手段,三个腔室内的压力可同为真空并减少三个腔室内之间的压力差,使透光石英板两侧所受的压力相等,因而可延长透光石英板的使用寿命。
本实用新型所采用的具体实施例,将通过以下的实施例及附呈图式作进一步的说明。
附图说明
图1为显示根据本实用新型的实施例的压力平衡的热制程设备的立体示意图。
图2为显示根据本实用新型的实施例的压力平衡的热制程设备的剖面示意图。
图3为显示根据本实用新型另一实施例的压力平衡的热制程设备的剖面示意图。
附图标记
100 热制程设备
100a热制程设备
1 气密腔体
11壁体
111 上通道
111a上通道
112 下通道
113'制程气体通气口
12透光石英板
2 载台
3 管材
4 加热组件
5 密封构件
R1上均压腔室
R2制程腔室
R3下均压腔室
W 热处理目标对象
具体实施方式
以下根据图1及图2,而说明本实用新型的实施方式。该说明并非为限制本实用新型的实施方式,而为本实用新型的实施例的一种。
如图1及图2所示,本实用新型提出一种压力平衡的热制程设备100,用以形成高温气密环境以进行热处理,热制程设备100包含:一气密腔体1、一载台2、多数个具辐射穿透性的管材3及多数个加热组件4。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造