[实用新型]IGBT吸收电容器及其电容芯子

说明书

技术领域

本实用新型涉及电容器领域，尤其涉及一种IGBT吸收电容器。

背景技术

目前的IGBT吸收电容器芯子结构多采用金属箔作为外电极与单面金属化聚丙烯膜作为内电极的复合双串结构，或者双面金属化聚酯薄膜作为外电极与单面金属化聚炳烯膜作为内电极的复合双串结构。由于IGBT可开关晶闸管工作在高频开关状态，超高的电压爬升斜率(DV/DT)会产生非常高的脉冲电流，上述两种结构由于内电极都是单面的金属化聚丙烯膜，其耐电流冲击性能受到了单面金属化膜的线流密度比较小的制约，而拉低了整个IGBT吸收电容器的耐超高频大电流的冲击能力，无论外电极是金属箔还是双面金属化聚酯膜。因此，有必要提供一种改进的IGBT吸收电容器，具有较好的耐超高频大电流的冲击能力。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种IGBT吸收电容器及其电容芯子，具有较好的耐超高频大电流的冲击能力。

为了实现上述目的，本实用新型提供一种用于IGBT吸收电容器的电容芯子，所述IGBT吸收电容器还包括形成在所述电容芯子端部的喷焊层，所述电容芯子由外电极层、内电极层及与所述外电极层、内电极层相间隔设置的第一介质层及第二介质层层叠后卷绕形成，所述外电极层为中间留边的双面金属化薄膜或者包括并排且相间隔设置的两金属铝箔，所述内电极层为无留边双面金属化薄膜，所述外电极层的两边缘分别超出所述内电极层、第一介质层及第二介质层以在卷绕后连接所述喷焊层。

与现有技术相比，所述外电极层为中间留边的双面金属化薄膜或者包括并排设置且相间隔的两金属铝箔，所述内电极层为无留边双面金属化薄膜，所述电容芯子形成两串式结构，从而有效增加了所述IGBT吸收电容器整体的耐超高频大电流冲击的能力。

较佳地，所述外电极层包括外基膜及通过真空蒸镀形成在所述外基膜上的双面金属镀层，所述外基膜的中间形成有将所述双面金属镀层分隔开的留边，所述内电极层包括内基膜及通过真空蒸镀形成在所述内基膜上的无留边双面金属镀层。

较佳地，所述外基膜及所述内基膜为聚酯薄膜。

较佳地，所述双面金属镀层及所述无留边双面金属化镀层为金属铝镀层。

较佳地，所述外电极层的宽度比所述内电极层的宽度大2mm-2.5mm。

较佳地，所述外电极层由并排且相间隔设置的所述两金属铝箔组成，所述内电极层包括内基膜及通过真空蒸镀形成在所述内基膜上的无留边双面金属镀层，所述两金属铝箔分别超出所述内电极层、第一介质层及第二介质层以在卷绕后连接所述喷焊层。

较佳地，所述内基膜为聚酯薄膜。

较佳地，所述无留边双面金属化镀层为金属铝镀层。

较佳地，所述第一介质层及所述第二介质层为聚丙烯薄膜，从而具有更好的绝缘隔离的作用。

为了实现上述目的，本实用新型的IGBT吸收电容器，包括如上所述的用于 IGBT吸收电容器的电容芯子。

与现有技术相比，本实用新型的IGBT吸收电容器通过所述外电极层为中间留边的双面金属化薄膜或者包括并排设置且相间隔的两金属铝箔，所述内电极层为无留边双面金属化薄膜，所述电容芯子形成两串式结构，从而有效增加了所述IGBT吸收电容器整体的耐超高频大电流冲击的能力。

附图说明

图1是本实用新型第一实施例的用于IGBT吸收电容器的电容芯子的平铺截面示意图。

图2是本实用新型第二实施例的用于IGBT吸收电容器的电容芯子的平铺截面示意图。

图3是本实用新型实施例的IGBT吸收电容器的结构示意图。

具体实施方式

为详细说明本实用新型的技术内容、构造特征、所实现的效果，以下结合实施方式并配合附图详予说明。