[实用新型]一种基于光栅对耦合激发BSW实现无衍射光束的光学芯片

权利要求书

1.一种基于光栅对耦合激发BSW实现无衍射光束的光学芯片，其特征在于：该光学芯片包括玻璃基底(1)、布拉格反射单元(2)、光栅对(3)和去离子水(4)；其中，所述的布拉格反射单元(2)、去离子水(4)依次排放在玻璃基底(1)上；所述光栅对(3)置于布拉格反射单元(2)顶层内；所述的布拉格反射单元(2)和光栅对(3)与去离子水之间会产生BSW光束，光栅对(3)所产生的两束BSW发生干涉产生无衍射BSW光束。

2.根据权利要求1所述的一种基于光栅对耦合激发BSW实现无衍射光束的光学芯片，其特征在于：所述的布拉格反射单元(2)由高折射率介质Si₃N₄层(5)和低折射率介质SiO₂层(6)交替组成，顶层为SiO₂缺陷层(7)，一共14层。

3.根据权利要求1所述的一种基于光栅对耦合激发BSW实现无衍射光束的光学芯片，其特征在于：所述的布拉格反射单元(2)中交替的Si3N4、SiO2以及缺陷层厚度均可调，以控制布拉格反射单元的反射曲线，调节BSW耦合出射共振峰的位置。

4.根据权利要求1所述的一种基于光栅对耦合激发BSW实现无衍射光束的光学芯片，其特征在于：所述的光栅对(3)周期为460nm，线宽为200nm，深度为100nm，长度为30μm，周期个数为20个，光栅对夹角为170度，可以通过改变光栅对的长度和角度角度来改变无衍射光束的长度，通过改变光栅对的深度和线宽来改变耦合效率。