[实用新型]一种能有效降低彩虹状条纹及炫光的导电薄膜有效

专利信息
申请号: 201720294428.0 申请日: 2017-03-24
公开(公告)号: CN206774260U 公开(公告)日: 2017-12-19
发明(设计)人: 薛玉芳 申请(专利权)人: 天津中亚慧通科技有限公司
主分类号: H01B5/14 分类号: H01B5/14
代理公司: 天津市新天方有限责任专利代理事务所12104 代理人: 张强
地址: 301800 天津市宝坻*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 一种 有效 降低 彩虹 条纹 导电 薄膜
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及导电薄膜技术领域,尤其涉及一种能有效降低彩虹状条纹及炫光的导电薄膜。

背景技术

导电薄膜近年来得到广泛应用,复合薄膜环境稳定性高、电性能优异,但是存在易出现不规则彩虹状条纹及炫光的问题。因此,需要在技术上作出改进。

实用新型内容

本实用新型旨在解决现有技术的不足,而提供一种能有效降低彩虹状条纹及炫光的导电薄膜。

本实用新型为实现上述目的,采用以下技术方案:

所述的一种能有效降低彩虹状条纹及炫光的导电薄膜,其特征在于,由下而上依次包括平面透明基板、介质增固层、金属纳米线层、凹凸结构层,介质增固层采用ZnO金属氧化物半导体溶胶或TiOx金属氧化物半导体溶胶制成,凹凸结构层为具有周期性且平行的表面凹凸结构,由纳米氧化物颗粒构成。具体地说,金属纳米线层采用金属纳米线溶液制成。

优选地,所述构成凹凸结构层的纳米氧化物颗粒由氧化镁铟、氧化镓铟中的一种或两种构成。

优选地,平面透明基板玻璃或半导体。

优选地,凹凸结构层的周期为80~90微米。

优选地,凹凸结构层的高低差为0.5~1微米。

优选地,介质增固层的厚度在100~300nm之间。

优选地,金属纳米线层的厚度在70~150nm之间。

优选地,金属纳米线的直径为100~150nm,长度为10~20微米,金属纳米线溶液的浓度为1~4mg/ml。

具体地说,所述制成金属纳米线层的金属纳米线溶液是由金属纳米线分散于乙醇中构成。

更进一步,金属纳米线层由银纳米线溶液制成。

本实用新型的有益效果是:本实用新型的凹凸结构层为具有周期性且平行的表面凹凸结构,由纳米氧化物颗粒构成,避免了出现不规则彩虹状条纹及炫光的问题。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图。

图中:1-平面透明基板;2-介质增固层;3-金属纳米线层;4-凹凸结构层。

以下将结合本实用新型的实施例参照附图进行详细叙述。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步说明:

如图1所示,一种能有效降低彩虹状条纹及炫光的导电薄膜,其特征在于,由下而上依次包括平面透明基板1、介质增固层2、金属纳米线层3、凹凸结构层4,介质增固层2采用ZnO金属氧化物半导体溶胶或TiOx金属氧化物半导体溶胶制成,凹凸结构层4为具有周期性且平行的表面凹凸结构,由纳米氧化物颗粒构成。具体地说,金属纳米线层3采用金属纳米线溶液制成。

优选地,所述构成凹凸结构层4的纳米氧化物颗粒由氧化镁铟、氧化镓铟中的一种或两种构成。

优选地,平面透明基板1玻璃或半导体。

优选地,凹凸结构层4的周期为80~90微米。

优选地,凹凸结构层4的高低差为0.5~1微米。

优选地,介质增固层2的厚度在100~300nm之间。

优选地,金属纳米线层3的厚度在70~150nm之间。

优选地,金属纳米线层3的金属纳米线的直径为100~150nm,长度为10~20微米,金属纳米线溶液的浓度为1~4mg/ml。

具体地说,所述制成金属纳米线层3的金属纳米线溶液是由金属纳米线分散于乙醇中构成。

更进一步,金属纳米线层3由银纳米线溶液制成。

通过设置平面透明基板1、介质增固层2、金属纳米线层3、凹凸结构层4克服了附着力差、稳定性不好的问题。

上面结合附图对本实用新型进行了示例性描述,显然本实用新型具体实现并不受上述方式的限制,只要采用了本实用新型的方法构思和技术方案进行的各种改进,或未经改进直接应用于其它场合的,均在本实用新型的保护范围之内。

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