[实用新型]一种串联整流电压器结构

权利要求书

1.一种串联整流电压器结构，包括外壳，所述外壳的内部设有电路板，且电路板上设有调压变压器T，其特征在于，所述调压变压器T的初级线圈L1的一端连接有市电正极输入端口Vi+,且调压变压器T的初级线圈L1的另一端连接有市电负极输入端口Vi-，所述调压变压器T的第一次级线圈L2的一端连接有整流元件QZ1的引脚1，且整流元件QZ1的引脚3和调压变压器T的第一次级线圈L2的另一端电性连接，所述整流元件QZ1的引脚2连接有整流元件QZ2的引脚2，且整流元件QZ1的引脚2接地，所述整流元件QZ1的引脚4连接有MOS管Q1的源极S和二极管D3的负极，且二极管D3的正极连接有MOS管Q1的漏极D、PNP型三极管Q2的基极和第一整流变压器的正极输入端Vo1+,所述MOS管Q1的栅极G连接有二极管D1的负极和PNP型三极管Q2的发射极，且二极管D1的正极连接有PNP型三极管Q2的集电极、整流元件QZ1的引脚2和第一整流变压器的负极输入端Vo1-，所述调压变压器T的第二次级线圈L3的一端连接有整流元件QZ2的引脚1，且整流元件QZ2的引脚3和调压变压器T的第二次级线圈L3的另一端电性连接，所述整流元件QZ2的引脚4连接有MOS管Q3的源极S和二极管D4的负极，且二极管D4的正极连接有MOS管Q3的漏极D、PNP型三极管Q4的基极和第二整流变压器的正极输入端Vo2+,所述MOS管Q3的栅极G连接有二极管D2的负极和PNP型三极管Q4的发射极，且二极管D2的正极连接有PNP型三极管Q4的集电极、整流元件QZ2的引脚2和第一整流变压器的负极输入端Vo2-。

2.根据权利要求1所述的一种串联整流电压器结构，其特征在于，所述整流元件QZ1和整流元件QZ2均为全桥整流元件，且整流元件QZ1和整流元件QZ2的型号为S1WBS60。

3.根据权利要求1所述的一种串联整流电压器结构，其特征在于，所述二极管D1和二极管D2均为稳压二极管，且二极管D3和二极管D4均为保护二极管。

4.根据权利要求1所述的一种串联整流电压器结构，其特征在于，所述MOS管Q1和MOS管Q3均为场效应管，且MOS管Q1和MOS管Q3的型号为IRF2804S或IRF1404S。

5.根据权利要求1所述的一种串联整流电压器结构，其特征在于，所述第一次级线圈L2和第二次级线圈L3的匝数相同。