[实用新型]一种高频高压开关有效

专利信息
申请号: 201720304439.2 申请日: 2017-03-27
公开(公告)号: CN206948282U 公开(公告)日: 2018-01-30
发明(设计)人: 孙洪华 申请(专利权)人: 阔智科技(广州)有限公司
主分类号: H03K17/10 分类号: H03K17/10;H03K17/567
代理公司: 深圳茂达智联知识产权代理事务所(普通合伙)44394 代理人: 夏龙
地址: 511400 广东省广州市南沙区环市大道*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 高频 高压 开关
【权利要求书】:

1.一种高频高压开关,其特征在于,包括第一开关电路和第二开关电路,所述第一开关电路和所述第二开关电路串联连接;所述第一开关电路由两个NMOS三极管串联组成;其中,各个NMOS三极管的源极与相邻的NMOS三极管的漏极连接;所述第二开关电路由负载开关和可控硅组成,所述可控硅的与第一开关K1所述第二开关K2并联。

2.根据权利要求1所述的一种高频高压开关,其特征在于,所述第一开关电路包括:NMOS三极管Q1和NMOS三极管Q2,所述NMOS三极管Q1的源极与输入端相连,所述NMOS三极管Q1的栅极与所述第二开关电路相连。

3.根据权利要求2所述的一种高频高压开关,其特征在于,所述NMOS三极管Q2的漏极通过电感L1与负载电路相连。

4.根据权利要求1或2任一项所述的一种高频高压开关,其特征在于,所述第二开关电路包括:电阻R1与电容C2相连,所述电容C2与开关K1相连,所述开关K1与可控硅Q3的一端相连,所述可控硅Q3的另一端与所述电阻R1相连、并与开关K2的一端相连,所述开关K2的另一端与K1相连;所述可控硅Q3的三端与电阻R1相连。

5.根据权利要求4所述的一种高频高压开关,其特征在于,所述开关K1和所述开关K2为单组负载开关。

6.根据权利要求4所述的一种高频高压开关,其特征在于,所述开关K1和所述开关K2为多组负载开关。

7.根据权利要求4所述的一种高频高压开关,其特征在于,所述R1的阻值为47K欧姆,所述电阻R2的阻止为470欧姆。

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