[实用新型]电源管理电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及电子技术领域，具体地，涉及一种电源管理电路。

背景技术

微波功率放大器件是现代无线通信系统的重要部件之一，其广泛地应用在雷达、卫星通信、电子军事以及导航等系统中。

近年来，随着半导体技术的迅猛发展，采用第三代宽禁带半导体GaN材料制作的高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor，HEMT)逐渐成为微波功率放大器件的发展方向。由于GaN具有高击穿电压、较高电子迁移率等特点，使得GaN基高电子迁移率晶体管相比于第一代半导体材料和第二代半导体材料制作的晶体管，具有高功率密度、高效率以及工作频带宽等优势，更加适用于军事以及民用无线通信系统中。

由于GaN基高电子迁移率晶体管是一种耗尽型晶体管，其栅极在不加负电压的情况下处于完全导通状态，此时若漏极加正电压会造成漏极电流急速增大而导致GaN基高电子迁移率晶体管烧毁，因此在对GaN基高电子迁移率晶体管进行上电时需遵守一定时序。

相关技术中，通常采用分时加电方式对GaN基高电子迁移率晶体管上电，即先对GaN基高电子迁移率晶体管的栅极加负电压，再对GaN基高电子迁移率晶体管的漏极加正电压。但该方式可能存在GaN基高电子迁移率晶体管的栅极短路、漏加栅极负电压等问题而造成GaN基高电子迁移率晶体管烧毁。

实用新型内容

为了实现上述目的，本实用新型提供一种电源管理电路，应用于高电子迁移率晶体管，该电源管理电路包括：第一输入端，与第一外部电源连接；第二输入端，与第二外部电源连接；第一输出端，分别与所述第一输入端和所述高电子迁移率晶体管的栅极连接；第二输出端，与所述高电子迁移率晶体管的漏极连接；

上电时序保护模块，分别与所述第一输入端、所述第二输入端和所述第二输出端连接；

所述上电时序保护模块，用于在所述第一输入端接收到所述第一外部电源输入的负电压且所述第二输入端接收到所述第二外部电源输入的正电压时，导通所述第二输入端与所述第二输出端之间的通路，以将所述正电压通过所述第二输出端输出至所述高电子迁移率晶体管的漏极。

可选地，所述电源管理电路还包括：

过压保护模块，分别与所述第二输入端和所述上电时序保护模块连接，用于在所述正电压超过预设电压阈值时，控制所述上电时序保护模块将所述第二输入端与所述第二输出端之间的通路截止。

可选地，所述电源管理电路还包括：第三输入端和电源调制模块；

所述第三输入端与外部脉冲信号发生器连接；

所述电源调制模块的一端与所述第三输入端连接，所述电源调制模块的另一端分别与所述上电时序保护模块和所述第二输出端连接；

所述电源调制模块，用于根据所述第三输入端接收到的所述外部脉冲信号发生器输入的控制信号控制所述上电时序保护模块与所述第二输出端之间的通路的导通或截止。

可选地，所述电源管理电路还包括：

第一储能模块，分别与所述第一输入端和所述第一输出端连接，用于在所述第一输入端接收到所述第一外部电源输入的负电压时蓄电，在所述第一输入端与所述第一外部电源断开时通过所述第一输出端向所述高电子迁移率晶体管的栅极提供负电压。

可选地，所述电源管理电路还包括：

第二储能模块，分别与所述上电时序保护模块和所述电源调制模块连接，用于在所述上电时序保护模块导通所述第二输入端与所述第二输出端之间的通路时蓄电，以及在所述电源调制模块导通所述上电时序保护模块与所述第二输出端之间的通路时通过所述第二输出端向所述高电子迁移率晶体管的漏极提供正电压。

可选地，所述上电时序保护模块包括：

二极管V3、分压电阻R3、分压电阻R5、开关三极管V7、场效应管V9和二极管V5；

所述二极管V3的负极与所述第一输入端连接，所述二极管V3的负极分别与所述第一输出端和所述开关三极管V7的发射极连接；

所述开关三极管V7的基极接地，所述开关三极管V7的集电极通过所述分压电阻R3与所述第二输入端连接；

所述场效应管V9的源极与所述第二输入端连接，所述场效应管V9的漏极与所述第二输出端连接，所述场效应管V9的栅极通过所述分压电阻R5接地；

所述二极管V5的正极与所述开关三极管V7的集电极连接，所述二极管V5的负极与所述场效应管V9的栅极连接。

可选地，所述第一储能模块包括：储能电容C2；