[实用新型]一种用于并行通道的输出极值检测电路有效
申请号: | 201720311096.2 | 申请日: | 2017-03-28 |
公开(公告)号: | CN206773055U | 公开(公告)日: | 2017-12-19 |
发明(设计)人: | 俞德军;孙晓良;孙江 | 申请(专利权)人: | 成都锦瑞芯科技有限公司 |
主分类号: | G01R19/04 | 分类号: | G01R19/04 |
代理公司: | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司51230 | 代理人: | 李春芳,马林中 |
地址: | 610097 四川省成都市高新*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 并行 通道 输出 极值 检测 电路 | ||
技术领域
本发明涉及多路输出电路检测技术领域,具体涉及一种用于并行通道的输出极值检测电路。
背景技术
在具有多路输出通道的电路中,需要检测和反馈各通道输出电压状态,现有技术场效应管检测器难以实现实时地并行检测,同时,还存在由于检测精度差大而导致检测反馈信号出错。本发明主要采用PNP晶体管驱动电路来实现,双极型晶体管比MOSFET具有更好的精度和温度特性及工艺一致性,检测和比较精度优于MOSFET电路。
发明内容
针对上述现有技术,本发明目的在于提供一种用于并行通道的输出极值检测电路及其方法,现有技术由于采用电阻和场效应管构建检测电路,其结构复杂且该结构亦不能实现高精度、实时的多并行环路响应极值检测等技术问题。
本发明克服了技术选择偏见,偏见即使用场效应管构建高集成的测量通道以在极小的电路板上实现高精度极值检测;但是,LED灯组和电流通道的温度都相对较高,场效应管对温度变化极其敏感,特别是在温度大幅升高时场效应管的性能将急剧下降,误差随之显著提高,因此现有技术方案的代价远远超过有益效果,损失了极大的测量精度并且很难符合工艺一致性要求。
为达到上述目的,本发明采用的技术方案如下:
一种极值电压检测电路,包括
电流源、输出节点、至少两个具有相同输入特征的电压反馈节点和至少两个与电压反馈节点对应的开关;
所述电流源通过分别连接每个开关连接至低电势点,低电势点可为接地点,构成不同的电流通道;
每个所述电压反馈节点输出电压信号至每个所述开关的控制端,电压信号通过开关控制端增加或减小电流通道的导通程度;
所述电流源由其输出的电流选择电流通道,所选择电流通道的导通程度相对其他电流通道的导通程度是极值;
所述输出节点接收由所选择电流通道响应关于电压信号的极值电压。
上述方案中,还包括输入电压;每个所述电压反馈节点均接收所述输入电压且对应所述输出电压反馈所述电压信号至每个所述开关的控制端。
上述方案中,所述的电流源,包括镜像电路,镜像电路输入端接有偏置电流且输出端分别连接每个所述开关。
上述方案中,所述的开关,选用双极型PNP晶体管。
一种用于并行LED通道的输出极值检测电路,包括
输入电压;
至少两个LED通道,分别接收输入电压;
选择电路,包括电流源、至少两个与电流源分别连接的电流通道,每个电流通道对应接收每个LED通道所输出用于导通程度控制的电压信号,电流源所输出的电流由导通程度选择电流通道,所选择的电流通道响应关于电压信号的极值电压。
上述方案中,还包括
脉冲宽度调制信号;
泄放开关,连接至所述至少两个LED通道的输入端;
所述的选择电路由所述脉冲宽度调制信号驱动所述泄放开关。
上述方案中,还包括
齐纳二极管;
所述至少两个LED通道通过所述齐纳二极管接收所述输入电压;
稳压电容,一端连接至所述至少两个LED通道的输入端且另一端接地。
上述方案中,所述的电流源,包括镜像电路,镜像电路输入端接有偏置电流且输出端分别连接每个所述电流通道;
所述的电流通道,每个电流通道包括双极型晶体管,所有双极型晶体管的发射极连接于第一电位点且集电极连接于第二电位点,第一电位点或第二电位点连接至所述电流源的输出端。
一种用于并行通道的输出极值检测方法,包括
步骤1、获取至少两个具有相同输入特征的电压反馈节点;
步骤2、设置至少两个与电压反馈节点对应的电流通道,再让每个电流通道分别对应接收由每个电压反馈节点输出的电压信号,获得具有导通程度的电流通道,导通程度可能相同也可能不同;
步骤3、设置通道电流,由通道电流根据导通程度选择地进入电流通道,获得所进入电流通道关于电压信号的响应电压并将响应电压转换为极值电压。
上述方法中,所述的步骤1,通过具有相同输入电压并行LED通道的输出电位点设置电压反馈节点;
所述的步骤2,通过同发射极电位和同集电极电位的双极型PNP晶体管构造电流通道;
所述的步骤2,将每个电压反馈节点输出的电流对应接入每个电流通道内双极型晶体管的基极;
所述的步骤3,将响应电压减去通道电流所进入电流通道的双极型PNP晶体管的基极-发射极电压获得极小值电压。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都锦瑞芯科技有限公司,未经成都锦瑞芯科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201720311096.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:高频脉冲电流传感器
- 下一篇:一种可检测电压的连接电线