[实用新型]一种改善轭铁定位、减少异物产生的继电器

权利要求书

1.一种改善轭铁定位、减少异物产生的继电器，包括基座(1)和轭铁(2)，基座(1)上开设有轭铁槽(3)，轭铁(2)与轭铁槽(3)相对应一侧的前、后两端都设置有插块且分别为前插块(4)、后插块(5)，轭铁(2)借助前插块(4)和后插块(5)插装固定在轭铁槽(3)内，其特征在于：所述的前插块(4)厚度小于轭铁(2)厚度、后插块(5)厚度等于轭铁(2)厚度，轭铁槽(3)前端与前插块(4)相对应位置的高度等于前插块(4)的厚度、后端与后插块(5)相对应位置的高度等于后插块(5)的厚度、中间部分的高度大于前插块(4)的厚度且小于等于后插块(5)的厚度、使前插块(4)与轭铁槽(3)前端插接锁紧、后插块(5)与轭铁槽(3)后端插接锁紧、以形成为阶梯槽式插接定位结构。

2.根据权利要求1所述的一种改善轭铁定位、减少异物产生的继电器，其特征在于：所述的轭铁槽(3)中间部分的高度等于后插块(5)的厚度且轭铁槽(3)的前端、后端、中间部分的下端面齐平。

3.根据权利要求1所述的一种改善轭铁定位、减少异物产生的继电器，其特征在于：所述的前插块(4)厚度与后插块(5)厚度之比为(0.5-0.9)∶1。

4.根据权利要求3所述的一种改善轭铁定位、减少异物产生的继电器，其特征在于：所述的前插块(4)厚度与后插块(5)厚度之比为0.86∶1。