[实用新型]反接保护电路及H桥输出驱动芯片

权利要求书

1.反接保护电路，其特征在于：该反接保护电路设于芯片供电端（VDD）与公共电源端（Vcom）之间，芯片供电端（VDD）通过一输出NMOS管（Tn1）向公共电源端（Vcom）提供电压，芯片供电端（VDD）还通过一齐纳二极管（D1）或一阻值足够大的电阻（R1）接入输出NMOS管（Tn1）的栅极；输出NMOS管（Tn1）的栅极还通过一控制PMOS管（Tp1）接入一升压输出端（Vcp），升压输出端（Vcp）所提供的电压大于芯片供电端（VDD）所提供的电压，控制PMOS管（Tp1）的栅极接入公共电源端（Vcom）。

2.根据权利要求1所述的反接保护电路，其特征在于：升压输出端（Vcp）所提供的电压由一电荷泵升压电路对公共电源端（Vcom）所提供的电压进行升压后得到。

3.H桥输出驱动芯片，其特征在于：包括信号产生放大电路、预驱动电路和H桥电路，信号产生放大电路用于产生控制信号并对其进行放大，预驱动电路用于根据信号产生放大电路处的信号对H桥电路的通断进行控制；H桥电路包括组成4个桥臂的第一NMOS管（T1）、第二NMOS管（T2）、第三NMOS管（T3）和第四NMOS管（T4），第一NMOS管（T1）和第三NMOS管（T3）接入公共电源端（Vcom），第二NMOS管（T2）和第四NMOS管（T4）接入公共接地端（VSS）；第一NMOS管（T1）与第二NMOS管（T2）间形成第一输出端（VoutP），第三NMOS管（T3）和第四NMOS管（T4）间形成第二输出端（VoutN）；公共电源端（Vcom）处接入一电荷泵升压电路，电荷泵升压电路的升压输出端（Vcp）用于通过预驱动电路向第一NMOS管（T1）和第三NMOS管（T3）提供开启电压；公共电源端（Vcom）与芯片供电端（VDD）间接入权利要求1中所述的反接保护电路。

4.根据权利要求3所述的H桥输出驱动芯片，其特征在于：信号产生放大电路包括霍尔传感器、斩波放大器和比较器，霍尔传感器用于产生控制信号，斩波放大器用于对霍尔传感器处产生的控制信号进行放大，比较器用于将经斩波放大器处理后的控制信号与一基准信号进行比较并向预驱动电路输出一数字信号。