[实用新型]半导体器件

说明书

本实用新型涉及半导体器件。在非导电封装材料(20)中包括至少一个导电金属元件(16)的半导体器件(10)是通过以下方式制造的：‑提供具有平滑形态用于覆盖前述金属元件(16)的第一金属层(102)；以及‑提供第二金属层(104)，该第二金属层用于部分地覆盖该第一层(102)，使得该第一层(102)的表面的至少一部分被暴露，该第二层(104)具有粗糙的形态。还可以提供的是一种裸片焊盘(14)，用于通过以下方式来安装半导体裸片(12)：提供前述第一层(102)用来覆盖该裸片焊盘(14)；以及将半导体裸片(12)附接至与该第一层(102)相接触的该裸片焊盘(14)上。

技术领域

本公开涉及半导体器件(诸如集成电路)的制造。

一个或多个实施例可以应用于在这类器件中形成导电触头，例如，铜触头。

背景技术

半导体电路(特别是集成电路)的市场例如在多个行业(诸如汽车行业)对制造商强加日益迫切的要求。

例如，有需要基于使用所谓的金属引线框(LF)来设置半导体电路的封装体，这些金属引线框能够承受热机械应力，诸如由组件工艺或者由重复的激活/去激活(打开/关闭)循环引起的应力。

例如，期望的是实现关于诸如脱层现象的良好水平的固有鲁棒性，以便能够实现可被定义为无脱层(即具有能够承受不同材料(诸如例如，引线框的导电材料(铜)与封装体的树脂或化合物)之间的脱层现象的封装结构)的解决方案。

诸如US 2009/0315159 A1的文献代表已知技术。

实用新型内容

为了解决现有技术和其他问题，本实用新型的目的在于提供一种半导体器件，能够实现关于诸如脱层现象的良好水平的固有鲁棒性，以便能够实现可被定义为无脱层的解决方案。

根据本实用新型的一个方面，半导体器件包括：至少一个导电金属构件，所述至少一个导电金属构件在非导电封装材料中，第一金属层，所述第一金属层覆盖所述至少一个金属构件，所述第一层具有平坦的形态，以及第二金属层，所述第二金属层通过使得所述第一层的至少一个表面部分未被覆盖而部分地覆盖所述第一层，所述第二层具有粗糙的形态。

在某些实施例中，半导体器件包括：裸片焊盘，所述裸片焊盘用于将半导体裸片安装在所述封装体中，所述第一层，所述第一层覆盖所述裸片焊盘，以及半导体裸片，所述半导体裸片被附接至所述第一层处的所述裸片焊盘上。

在某些实施例中，所述金属构件包括具有引线尖端的至少一个接触引线，在所述尖端处设置所述第二层。

本实用新型的半导体器件能够实现良好的鲁棒性，从而避免脱现象的发生。

附图说明

现在将仅通过非限制性示例的方式，参照所附附图来描述一个或多个实施例，在附图中：

-图1是半导体器件的示意性横截面视图；

-图2是与图1的箭头II大致相对应的视图，其展示了实施例的特性；以及

-图3是实施例的生产的模式的合成表示。

将认识到的是，为了图示的清晰和简单起见，各附图及其中的可见部件可以不全部以相同比例表示。

具体实施方式

在随后的描述中，展示了各种具体细节以便提供对实施例的各示例的深入理解。可以在没有一个或多个特定细节的情况下，或者利用其他方法、部件、材料等来获得实施例。在其他情况下，未详细展示或描述已知的结构、材料或操作，从而使得实施例的各个方面将不会被模糊。