[实用新型]一种降压电路有效

专利信息
申请号: 201720325974.6 申请日: 2017-03-30
公开(公告)号: CN206775387U 公开(公告)日: 2017-12-19
发明(设计)人: 束龙胜;李帅;张晓昕;高峰;张希;李小庆;单任仲;陈任峰 申请(专利权)人: 安徽中电兴发与鑫龙科技股份有限公司
主分类号: H02M3/158 分类号: H02M3/158
代理公司: 芜湖安汇知识产权代理有限公司34107 代理人: 尹安
地址: 241000 安徽省芜*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 降压 电路
【权利要求书】:

1.一种降压电路,其特征在于:包括降压变换电路、LM5116芯片U1及其外围电路,所述降压变换电路包括MOS管Q1、MOS管Q2、电感L1、电容C1、电容C2、电阻R1,高压直流电输入MOS管Q1的漏极,MOS管Q1的源极与MOS管Q2的漏极连接,MOS管Q2的源极通过电阻R1接地,电感L1一端连接MOS管Q1的源极,另一端分别连接MOS管Q1的漏极和电容C1的一端,电容C1另一端接地,电容C1的两端并接电容C2,C2两端连接降压输出端(Vout+、Vout-),MOS管Q1和MOS管Q2的栅极均连接芯片U1的输出端,芯片U1输出控制信号控制Q1、Q2的导通和断开。

2.如权利要求1所述的一种降压电路,其特征在于:芯片U1的外围电路连接为:芯片电源输出端分别连接芯片U1的VIN端、电阻R4的一端和二极管D1的阳极,电阻R4另一端分别连接二极管D1的阴极、芯片U1的UVLO端、电阻R5的一端,电阻R5的另一端接地,二极管D1的阴极通过电容C5接地,芯片U1的RT脚通过电阻R6接地,芯片U1的AGND脚和PGND脚接地,+12V电源经电阻R2与芯片U1的RAMP脚连接,电阻R2经电容C3接地,芯片U1的SS脚经电容C6接地,U1的COMP脚经电容C9接电阻R9一端,电容C9两端并联有串接的电阻R7和电容C10,芯片U1的VOUT端经R8接电阻R9一端,U1的FB脚连接电阻R9一端,R9的另一端接地,U1的SW脚分别连接MOS管Q1的源极和电容C4的一端,C4的另一端分别连接HB脚和二极管D2的阳极,二极管D2的阴极通过电容C8接地,U1的VCC脚连接二极管D2的阴极,+12V电源连接U1的VCCX脚,U1的VCCX脚经电容C7接地,MOS管Q1的栅极连接U1的HO脚,MOS管Q2的栅极连接U1的LO脚,U1的CS脚连接MOS管Q2的源极,U1的CSG脚接地,U1的DEMB脚通过电阻R3接地。

3.如权利要求1所述的一种降压电路,其特征在于:所述的MOS管Q1和MOS管Q2均为N沟道MOS管。

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