[实用新型]一种阵列基板及显示面板

说明书

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及显示面板。

背景技术

目前，薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)作为显示装置的核心，其主要包括如下几类：非晶硅薄膜晶体管、多晶硅薄膜晶体管以及氧化物薄膜晶体管。

其中，非晶硅TFT中采用非晶硅材料作为有源层，其载流子迁移率仅为0.5cm²/V·s～1.0cm²/V·s，其无法满足大尺寸、高分辨率的显示装置。

氧化物TFT中采用氧化物半导体材料作为有源层，其相对非晶硅材料，具有较高的载流子迁移率，但存在阈值电压稳定性的问题，在实际应用中，经常会发生特性漂移。

多晶硅TFT中采用多晶硅材料作为有源层，其载流子迁移率可达到100cm²/V·s以上，但多晶硅材料受限于非晶硅激光晶化过程中的晶粒开裂，会有很大的漏电流，因此，当将其作为电流驱动的TFT时，会存在由于漏电流大，而很难获得很好的暗态显示。

实用新型内容

本实用新型的实施例提供一种阵列基板及显示面板，通过在阵列基板上采用两种类型的TFT，可使显示装置具有良好的显示性能。

为达到上述目的，本实用新型的实施例采用如下技术方案：

第一方面，提供一种阵列基板，包括衬底、设置于所述衬底上每个子像素中的双栅型氧化物TFT和显示用电极；所述双栅型氧化物TFT的漏极与所述显示用电极电连接；还包括设置于所述衬底上的多晶硅TFT。

优选的，所述多晶硅TFT包括依次设置于所述衬底上的多晶硅有源层、栅绝缘层、栅极、层间绝缘层、源极和漏极；所述多晶硅TFT的源极和所述漏极通过设置于所述栅绝缘层和所述层间绝缘层的第一过孔，与所述多晶硅有源层接触；所述双栅型氧化物TFT的底栅极与所述多晶硅TFT的栅极同步形成。

进一步优选的，所述层间绝缘层包括第一子层间绝缘层和第二子层间绝缘层，所述第二子层间绝缘层设置于所述第一子层间绝缘层远离所述衬底的一侧；所述第一子层间绝缘层和所述第二子层间绝缘层还覆盖所述底栅极；所述双栅型氧化物TFT的氧化物半导体有源层设置于所述第一子层间绝缘层和所述第二子层间绝缘层之间。

进一步优选的，所述双栅型氧化物TFT的顶栅极、源极和漏极设置于所述氧化物半导体有源层远离所述衬底的一侧；所述双栅型氧化物TFT的源极和漏极通过设置于所述第二子层间绝缘层上的第二过孔，与所述氧化物半导体有源层接触；所述多晶硅TFT的源极和漏极以及所述双栅型氧化物TFT的顶栅极、源极和漏极同步形成。

优选的，所述阵列基板还包括覆盖所述衬底的缓冲层；所述双栅型氧化物TFT和所述多晶硅TFT均设置于所述缓冲层远离所述衬底的一侧。

基于上述，可选的，所述衬底包括显示区域和周边区域；所述多晶硅TFT设置于所述周边区域；所述双栅型氧化物TFT的底栅极和顶栅极与栅线电连接，所述双栅型氧化物TFT的源极与数据线电连接；所述显示用电极为像素电极。

可选的，所述衬底包括显示区域，所述多晶硅TFT和所述双栅型氧化物TFT设置于所述显示区域的每个子像素中；所述显示用电极为阳极。

进一步优选的，所述多晶硅TFT的栅极与栅线电连接，所述多晶硅TFT的源极与数据线电连接，所述多晶硅TFT的漏极与所述双栅型氧化物TFT的底栅极和顶栅极电连接。

在所述多晶硅TFT和所述双栅型氧化物TFT设置于所述显示区域的每个子像素中的情况下，优选的，所述阵列基板还包括设置于所述底栅极与所述衬底之间的多晶硅图案层；所述多晶硅图案层在所述衬底上的正投影与所述底栅极在所述衬底上的正投影具有重叠区域；其中，所述多晶硅图案层与所述多晶硅有源层同步形成。

第二方面，提供一种显示面板，包括第一方面所述的阵列基板。

本实用新型实施例提供一种阵列基板及显示面板，由于双栅型氧化物TFT起开关作用时，具有较快的切换速度，起驱动作用时，具有高开态电流、低漏电流以及稳定的阈值电压，因此，通过将双栅型氧化物TFT设置在每个子像素中并使其漏极与显示用电极电连接，不管双栅型氧化物TFT起开关作用还是驱动作用，均具有良好的性能。在此基础上，通过在阵列基板上还设置多晶硅TFT，不管是该多晶硅TFT设置于子像素中并起开关作用，还是设置于周边区域，都可规避其漏电流大而影响暗态显示的问题，而且还可获得快的切换速度或高的驱动电流。

附图说明