[实用新型]一种应变mHEMT结构

权利要求书

1.一种应变mHEMT结构，其特征在于，所述结构由下至上依次包括衬底、缓冲层、复合沟道层、空间隔离层、平面掺杂层、势垒层和帽层；

所述缓冲层为复合应变缓冲层结构，从下至上包括第一缓冲层、第二缓冲层和第三缓冲层；

所述复合沟道层从上至下包括不掺杂InGaAs沟道1、为不掺杂InP沟道2和高掺杂InP沟道3，沟道1和沟道2两种结构减小了碰撞电离，有效的提高了够到中的击穿电场强度，沟道3用于低场下为二维电子气提供导电沟道；

所述帽层为高掺杂渐进帽层，用于为器件制备提供良好的欧姆接触。

2.根据权利要求1所述的一种应变mHEMT结构，其特征在于：所述第一缓冲层为GaAs不掺杂缓冲层，厚度为400-800nm；所述第二缓冲层为渐进应变In_xAl_1-xAs缓冲层，其内部为多层结构，层间In组分x从0渐进到0.52，厚度为100-300nm；所述第三缓冲层为In_0.52Al_0.48As不掺杂缓冲层，厚度100-300nm。

3.根据权利要求1所述的一种应变mHEMT结构，其特征在于：所述空间隔离层用于将施主杂质电离中心和2DEG空间隔离，减小电离散射作用，保证沟道内2DEG的高电子迁移率。

4.根据权利要求1所述的一种应变mHEMT结构，其特征在于：所述平面掺杂层生长在空间隔离层In_0.52Al_0.48As上生长，厚度为5至10Å，用于提供自由电子；掺杂Si的剂量为2.5×10¹²cm^-2至5×10¹²cm^-2。

5.根据权利要求1所述的一种应变mHEMT结构，其特征在于：所述渐进帽层为In_XGa_1-XAs帽层，厚度为150-300 Å，其中包括若干层结构，每一层结构中In组分含量x从0.53渐进到0。