[实用新型]一种电磁加热电路及电磁加热装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及功率控制技术领域，尤其涉及一种电磁加热电路及电磁加热装置。

背景技术

现有的电磁加热方案如图1所示，电磁加热电路通常包括与市电直接连接的整流桥、滤波储能电容C1001、电感L1001、储能电容C1002，线圈盘、与线圈盘并联的电容C1003、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)开关及逻辑电路及其控制中心。然而，市电经整流桥整流之后，直接与后级的谐振电路连接，使得谐振电压较高，且市电包络对电磁加热器件的工作稳定性造成了影响。

因此，如何设计电磁加热电路的结构，使之降低谐振电压及消除市电包络成为亟待解决的技术问题。

实用新型内容

针对现有技术的缺陷，本实用新型提供了一种电磁加热电路及电磁加热装置，能够解决现有技术中电磁加热电路的谐振电压较高且存在市电包络的问题。

第一方面，本实用新型提供了一种电磁加热电路，所述电磁加热电路包括：电源、PFC电路、整流滤波电路、谐振电路、开关电路及控制器；

所述电源与所述PFC电路连接，所述PFC电路与所述整流滤波电路连接，所述整流滤波电路与所述谐振电路连接，所述谐振电路与所述开关电路连接，所述控制器分别与所述PFC电路及所述开关电路连接；

其中，所述PFC电路用于将所述电源输出的交流转换为直流。

可选地，所述PFC电路包括：第一电感、第一开关管、第二开关管、第一二极管及第二二极管；

所述第一电感的第一端与所述电源的第一端连接，所述第一电感的第二端与所述第二开关管的高电平端连接；

所述第二开关管的低电平端与所述第一开关管的低电平端连接，所述第二开关管的控制端与所述控制器连接；所述第二二极管的阴极与所述第二开关管的高电平端连接，所述第二二极管的阳极与所述第二开关管的低电平端连接；所述第一开关管的高电平端与所述电源的第二端连接，所述第一开关管的控制端与所述控制器连接；所述第一二极管的阴极与所述第一开关管的高电平端连接，所述第一二极管的阳极与所述第一开关管的低电平端连接；

所述第一电感的第二端与所述整流滤波电路的第一输入端连接，所述电源的第二端与所述整流滤波电路的第二输入端连接。

可选地，所述第一开关管及所述第二开关管为IGBT或者MOSFET。

可选地，所述整流滤波电路包括：整流桥、第一电容、第二电感及第二电容；

所述整流桥的第一输入端与所述PFC电路的第一输出端连接，所述整流桥的第二输入端与所述PFC电路的第二输出端连接；所述整流桥的第一输出端分别与所述第一电容的第一端及所述第二电感的第一端连接，所述整流桥的第二输出端分别与所述第一电容的第二端及所述第二电容的第一端连接；所述第二电感的第二端与所述第二电容的第二端连接；所述第二电感的第二端与所述谐振电路连接，所述第二电容的第一端与地连接。

可选地，所述整流桥包括：第三二极管、第四二极管、第五二极管及第六二极管；

所述PFC电路的第一输出端与所述第四二极管的阳极连接，所述PFC电路的第二输出端与所述第五二极管的阴极连接；所述第四二极管的阴极与所述第三二极管的阴极连接，所述第三二极管的阳极与所述第五二极管的阴极连接，所述第五二极管的阳极与所述第六二极管的阳极连接，所述第六二极管的阴极与所述第四二极管的阳极连接；所述第三二极管的阴极与所述第一电容的第一端连接，所述第六二极管的阳极与所述第一电容的第二端连接。

可选地，所述第一电容的电容量取值范围为：100uf～1000uf/500V。

可选地，所述谐振电路包括：第三电容及线圈盘；

所述第三电容与所述线圈盘并联；所述第三电容的第一端与所述整流滤波电路连接，所述第三电容的第二端与所述开关电路连接。

可选地，所述开关电路包括：第三开关管；

所述第三开关管的控制端与所述控制器连接，所述第三开关管的高电平端与所述谐振电路连接，所述第三开关管的低电平端与地连接。

可选地，所述第三开关管为IGBT；

相应地，所述第三开关管的门极与所述控制器连接，所述第三开关管的集电极与所述谐振电路连接，所述第三开关管的发射极与地连接。

第二方面，本实用新型提供了一种电磁加热装置，所述电磁加热装置包括：如上述任意一种电磁加热电路。