[实用新型]一种电力电子器件的扇出型封装结构有效
| 申请号： | 201720334137.X | 申请日： | 2017-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN206789535U | 公开（公告）日： | 2017-12-22 |
| 发明（设计）人： | 侯峰泽;郭学平;周云燕 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/488;H01L23/46 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人： | 孟金喆,胡彬 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市新区太湖国*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电力 电子器件 扇出型 封装 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种电力电子器件的扇出型封装结构，其特征在于，包括：
芯片载体和芯片，所述芯片的背面与所述芯片载体的表面键合，所述芯片的正面具有至少两个电极和位于所述电极上的导电柱；
所述芯片通过塑封工艺形成有塑封层，所述塑封层的表面与所述导电柱的表面平齐；
所述塑封层的表面上依次形成有介质层和再布线层，所述介质层和所述再布线层的表面平齐，所述再布线层与所述导电柱直接接触。
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述芯片的背面与所述芯片载体的表面键合的方式包括共晶焊、烧结银或高导热胶涂覆。
3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述芯片载体包括金属载体、陶瓷载体和高导热复合载体。
4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述芯片为平面型电力电子器件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，未经华进半导体封装先导技术研发中心有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201720334137.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：高可靠性芯片封装结构
- 下一篇：SOT封装结构的半导体器件
