[实用新型]一种GaAsHBT器件外延结构

权利要求书

1.一种GaAs HBT器件外延结构，其特征在于，由下至上依次包括GaAs衬底、N-GaAs集电区层、N-Al_yGa_0.52-yIn_0.48P集电区层、P-GaAs基区层、若干层N-Al_xGa_0.52-xIn_0.48P发射区层、N-GaAs发射区层、N⁺-In_zGa_1-zAs帽层，其中，若干层N-Al_xGa_0.52-xIn_0.48P发射区层由下至上每层结构x的变化逐渐增大，且x的范围为0～0.3。

2.根据权利要求1所述的GaAs HBT器件外延结构，其特征在于，所述GaAs衬底具体采用Si、SiC、GaN、蓝宝石、金刚石中的任意一种。

3.根据权利要求1所述的GaAs HBT器件外延结构，其特征在于，所述N-GaAs集电区层的掺杂浓度为不小于5×10¹⁷cm^-3，厚度为0.2μm～3μm。

4.根据权利要求1所述的GaAs HBT器件外延结构，其特征在于，所述N-Al_yGa_0.52-yIn_0.48P集电区层的掺杂浓度为不小于1×10¹⁷cm^-3，厚度为10nm～500nm，y的范围为0～0.3。

5.根据权利要求1所述的GaAs HBT器件外延结构，其特征在于，所述P-GaAs基区层的掺杂浓度为不小于5×10¹⁷cm^-3，厚度为20nm～500nm。

6.根据权利要求1所述的GaAs HBT器件外延结构，其特征在于，所述若干层N-Al_xGa_0.52-xIn_0.48P发射区层掺杂浓度为不小于1×10¹⁷cm^-3，厚度为10nm～500nm。

7.根据权利要求1所述的GaAs HBT器件外延结构，其特征在于，所述N-GaAs发射区层的掺杂浓度为不小于5×10¹⁷cm^-3，厚度为20nm～500nm。

8.根据权利要求1所述的GaAs HBT器件外延结构，其特征在于，所述N⁺-In_ZGa_1-ZAs帽层中Z为0～1，掺杂浓度为不小于1×10¹⁸cm^-3，厚度为10～200nm。