[实用新型]一种一体冲磁电机转子有效
申请号: | 201720339248.X | 申请日: | 2017-03-31 |
公开(公告)号: | CN207098871U | 公开(公告)日: | 2018-03-13 |
发明(设计)人: | 王伟庭;孙大军;张泽平 | 申请(专利权)人: | 深圳市正德智控股份有限公司 |
主分类号: | H02K11/215 | 分类号: | H02K11/215;H02K1/27 |
代理公司: | 深圳市科吉华烽知识产权事务所(普通合伙)44248 | 代理人: | 熊艳 |
地址: | 518000 广东省深圳市龙*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 一体 磁电机 转子 | ||
技术领域
本实用新型涉及电机技术领域,特别是一种一体冲磁电机转子。
背景技术
现有的电机转子,包括信号磁环。先对信号磁环进行冲磁,然后再将信号磁环进行安装。其存在的技术问题是,当信号磁环安装之后,需要对信号磁环的相对位置进行调整。
实用新型内容
为了解决上述现有的技术问题,本实用新型提供一种一体冲磁电机转子,采用一体冲磁,不需要对信号磁环进行位置调整。
本实用新型解决上述现有的技术问题,提供一种一体冲磁电机转子,包括转轴;还包括硅钢片环、磁石环、信号磁环座和信号磁环;所述硅钢片环套设于所述转轴,所述磁石环套设于所述硅钢片环;所述信号磁环座套设于所述转轴,且所述信号磁环座抵接于所述硅钢片环、所述磁石环;所述信号磁环套设于所述信号磁环座,所述信号磁环的外端与所述信号磁环座的外端共平面,在所述信号磁环座的外端面设置一冲磁定位孔。
本实用新型更进一步的改进如下所述。
在所述信号磁环座向外的一端设置一环槽,所述信号磁环套设于所述环槽,所述信号磁环的外端面与所述信号磁环座的外端面共平面。
所述信号磁环的外圆周面高于所述信号磁环座的外圆周面。
所述磁石环外圆周面高于所述信号磁环座的外圆周面。
在所述信号磁环座向外的一端设置轴向延伸的凸台。
包括固定座;所述固定座套设于所述转轴,且抵接于所述硅钢片环的端面。
包括第一轴承和第二轴承;所述第一轴承和第二轴承套设于所述转轴。
所述第一轴承抵接于所述固定座,所述第二轴承抵接于所述凸台。
相较于现有技术,本实用新型的有益效果是:设置有冲磁定位孔,能够直接一体冲磁,不需要对信号磁环进行位置调整,降低转子的装配难度,提高转子的装配效率。
附图说明
图1为本实用新型一体冲磁电机转子的剖面结构示意图。
图2为所述信号磁环座的剖面结构示意图。
转轴11
硅钢片环12
磁石环13
信号磁环座14环槽141
冲磁定位孔142
凸台143
信号磁环15
固定座16
第一轴承17
第二轴承18
具体实施方式
下面结合附图说明及具体实施方式对本实用新型进一步说明。
如图1所示,一种一体冲磁电机转子,包括转轴11、硅钢片环12、磁石环13、信号磁环座14和信号磁环15。硅钢片环12套设于转轴11,磁石环13套设于硅钢片环12;信号磁环座14套设于转轴11,且信号磁环座14抵接于硅钢片环12、磁石环13;信号磁环15套设于信号磁环座14,且信号磁环15的的外端面与信号磁环座14的外端面共平面,在信号磁环座14的外端面设置一冲磁定位孔142。组成硅钢片环12的硅钢片为DW600 材料,其磁导率高、电阻大,在电机中起导磁的作用。磁石环13为粘结钕铁硼,是高性能的磁体材料,实现了电能与机械能的转换,输出扭矩。信号磁环座14是铝材,能够减少磁损。信号磁环15能够给霍尔元件感应信号,使电机进行换向。
在信号磁环座14向外的一端设置一环槽141,另一端紧邻硅钢片环12 和磁石环13,信号磁环15套设于环槽141,信号磁环15的外端面与信号磁环座14的外端面共平面。具体要求是,信号磁环15的外圆周面高于信号磁环座14的外圆周面,磁石外圆周面亦高于信号磁环座14的外圆周面。
本实用新型在信号磁环座14向外的一端设置轴向延伸的凸台143,同时,本实用新型一体冲磁电机转子包括固定座16;固定座16套设于转轴11,且抵接于硅钢片环12的端面。这样,当该一体冲磁电机转子包括第一轴承17和第二轴承18时;第一轴承17和第二轴承18套设于转轴11,第一轴承17抵接于固定座16,第二轴承18抵接于凸台143,固定座16和信号磁环座14均为限位的作用。
本实用新型设置有冲磁定位孔142,能够直接一体冲磁,不需要对信号磁环15进行位置调整,降低转子的装配难度,提高转子的装配效率。同时,在硅钢片环12、磁石环13、信号磁环座14两两之间,使用EP106胶水,烘烤120度,保证转子的稳定性,保证转子在高速运行下不会甩出。
以上内容是结合具体的优选实施方式对本实用新型所作的进一步详细说明,不能认定本实用新型的具体实施只局限于这些说明。对于本实用新型所属技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型构思的前提下,还可以做出若干简单推演或替换,都应当视为属于本实用新型的保护范围。
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