[实用新型]一种封口机电路

权利要求书

1.一种封口机电路，其特征在于：包括电流镇流器、高频变压器T和发热丝RT，所述高频变压器T设有辅助绕组L1、初级绕组L2、辅助绕组L3和次级绕组L4，所述辅助绕组L1、初级绕组L2和辅助绕组L3分别连接在所述电流镇流器的输出端上，所述电流镇流器的输入端连接在市电上，所述发热丝RT的两端连接在所述次级绕组L4上。

2.根据权利要求1所述的一种封口机电路，其特征在于：所述高频变压器T为EE40型号的高频变压器。

3.根据权利要求1或2所述的一种封口机电路，其特征在于：所述电流镇流器包括二极管D1-D4、电阻R1-R7、电容C1-C5、稳压管D5-D6、双向触发管D7和场效应晶体管Q1-Q2，所述二极管D1的负极和二极管D3的正极连接在市电的一端上，所述二极管D2的负极和二极管D4的正极连接在市电的另一端上，所述二极管D1的正极与二极管D2的正极相连，所述二极管D3的负极与二极管D4的负极相连，所述电阻R1的一端连接在所述二极管D1的正极上，所述电阻R1的另一端与所述电阻R2的一端相连，所述电阻R2的另一端与所述二极管D4的负极相连，所述电容C1的一端连接在所述二极管D1的正极上，所述电容C1的另一端与所述电容C2的一端相连，所述电容C2的另一端与所述二极管D4的负极相连，所述电阻R1和电阻R2的公共端与所述电容C1和电容C2的公共端相连，所述电容C3的一端连接在所述二极管D1的正极上，所述电容C3的另一端与所述电阻R3的一端相连，所述电阻R3的另一端与所述二极管D4的负极相连，所述场效应晶体管Q1的源极连接在所述二极管D1的正极上，所述场效应晶体管Q1的漏极与所述场效应晶体管Q2的源极相连，所述场效应晶体管Q2的漏极连接在所述二极管D4的负极上，所述电阻R4的两端分别连接在所述场效应晶体管Q1的源极与漏极之间，所述电阻R5的两端分别连接在所述场效应晶体管Q2的源极与漏极之间，所述稳压管D5的正极连接在所述场效应晶体管Q1的源极上，所述稳压管D5的负极连接在所述场效应晶体管Q1的栅极上，所述稳压管D6的正极连接在所述场效应晶体管Q2的源极上，所述稳压管D6的负极连接在所述场效应晶体管Q2的栅极上，所述电容C4的一端连接在所述场效应晶体管Q1的栅极上，所述电容C4的另一端连接在所述电阻R6的一端上，所述R6的另一端与所述辅助绕组L1的一端相连，所述辅助绕组L1的另一端连接在所述场效应晶体管Q1的源极上，所述电容C5的一端连接在所述场效应晶体管Q2的栅极上，所述电容C5的另一端连接在所述电阻R7的一端上，所述R7的另一端与所述辅助绕组L3的一端相连，所述辅助绕组L3的另一端连接在所述场效应晶体管Q2的源极上，所述双向触发管D7的一端连接在所述电容C3与所述电阻R3之间的公共端上，所述双向触发管D7的另一端连接在所述场效应晶体管Q1的栅极上，所述初级绕组L2的一端连接在所述场效应晶体管Q2的源极上，所述初级绕组L2的另一端连接在所述电容C1与电容C2之间的公共端上。

4.根据权利要求3所述的一种封口机电路，其特征在于：所述双向触发管D7为DB3型号的双向触发管。