[实用新型]功率型氮化镓基发光二极管芯片

权利要求书

1.功率型氮化镓基发光二极管芯片，其特征在于，包括：

钇铝石榴石衬底(1)，其上端分别设有周期性三棱台型的微凸结构(11)，下端设有若干四棱锥型的下微凸结构(12)；在钇铝石榴石衬底(1)的下端设有N型氮化镓层(2)，且下微凸结构(12)伸入N型氮化镓层(2)内；

增透层(3)，其包裹在钇铝石榴石衬底(1)的上端，且通过钇铝石榴石衬底(1)的四周侧壁延伸到N型氮化镓层(2)的侧壁上；增透层(3)由高折射率绝缘层和低折射率绝缘层交替堆叠；增透层(3)至少为三层，且其总厚度为1200埃-7200埃。

2.根据权利要求1所述的功率型氮化镓基发光二极管芯片，其特征在于：所述钇铝石榴石衬底(1)与N型氮化镓层(2)之间还生长有AlN缓冲层。

3.根据权利要求1所述的功率型氮化镓基发光二极管芯片，其特征在于：所述微凸结构(11)的周期为12μm，间隙为5μm，高度为1.5μm。

4.根据权利要求1所述的功率型氮化镓基发光二极管芯片，其特征在于：所述N型氮化镓层(2)的下端设有Ti/Al/Ni/Au N型电极(8)，其余部分生长有多量子阱(4)；

多量子阱(4)的下端从上到下依次生长有P型氮化镓层(5)、透明导电层(6)和布拉格反射层(7)；布拉格反射层(7)的下端设有Ni/Au P型电极(9)。

5.根据权利要求4所述的功率型氮化镓基发光二极管芯片，其特征在于：所述透明导电层(6)的厚度为20-150nm。

6.根据权利要求4所述的功率型氮化镓基发光二极管芯片，其特征在于：所述布拉格反射层(7)由高折射率材料层和低折射率材料层交替堆叠，其中高折射率材料层为TiO；低折射率材料层为SiO₂。

7.根据权利要求4所述的功率型氮化镓基发光二极管芯片，其特征在于：所述P型氮化镓层(5)的下端腐蚀有若干微小凹陷(10)，微小凹陷(10)的形状为倒置正六棱台。

8.根据权利要求7所述的功率型氮化镓基发光二极管芯片，其特征在于：所述多量子阱(4)、P型氮化镓层(5)、透明导电层(6)、布拉格反射层(7)的侧壁上以及布拉格反射层(7)的下端也包裹有所述增透层(3)，且所述Ti/Al/Ni/Au N型电极(8)伸出增透层(3)；

布拉格反射层(7)上设有直至N型氮化镓层(2)内部的沟槽(31)，沟槽(31)内也填充有增透层(3)的材料。