[实用新型]用于生理电势信号检测的放大器有效
申请号: | 201720356002.3 | 申请日: | 2017-04-06 |
公开(公告)号: | CN206611389U | 公开(公告)日: | 2017-11-03 |
发明(设计)人: | 陈铖颖;陈纲 | 申请(专利权)人: | 高科创芯(北京)科技有限公司 |
主分类号: | H03F3/45 | 分类号: | H03F3/45;H03F1/14;A61B5/04 |
代理公司: | 北京细软智谷知识产权代理有限责任公司11471 | 代理人: | 江娟 |
地址: | 100089 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 生理 电势 信号 检测 放大器 | ||
1.用于生理电势信号检测的放大器,其特征在于,包括:跨导放大器100、输入电容Cin1、输入电容Cin2、共模通路1001a、共模通路1001b、输入通路1002a、输入通路1002b、输出通路1003a、输出通路1003b、反馈通路1004a和反馈通路1004b,其中,
其中,输入电容Cin1通过输入通路1002a与跨导放大器100的正相输入端连接,输入电容Cin2通过输入通路1002b与跨导放大器100的反相输入端连接;输出通路1003a连接在跨导放大器100的反相输出端,输出通路1003b连接在跨导放大器100的正相输出端;
共模通路1001a连接在输入电容Cin1与输入通路1002a之间,共模通路1001b连接在输入电容Cin2与输入通路1002b之间;反馈通路1004a一端与输入通路1002a相连,另一端与输出通路1003a相连;反馈通路1004b一端与输入通路1002b相连,另一端与输出通路1003b相连。
2.根据权利要求1所述的用于生理电势信号检测的放大器,其特征在于,所述共模通路1001a包括电容Cb1、场效应管M1a和M2a,其中,场效应管M1a和M2a串联,串联后的电路与电容Cb1并联。
3.根据权利要求1所述的用于生理电势信号检测的放大器,其特征在于,所述共模通路1001b包括电容Cb2、场效应管M1b和M2ab,其中,场效应管M1b和M2b串联,串联后的电路与电容Cb2并联。
4.根据权利要求1所述的用于生理电势信号检测的放大器,其特征在于,所述反馈通路1004a包括电容Cf1、场效应管M3a和M4a,其中,场效应管M3a和M4a串联,串联后的电路与电容Cf1并联。
5.根据权利要求1所述的用于生理电势信号检测的放大器,其特征在于,所述反馈通路1004b包括电容Cf2、场效应管M3b和M4b,其中,场效应管M3b和M4b串联,串联后的电路与电容Cf2并联。
6.根据权利要求1~5任一项所述的用于生理电势信号检测的放大器,其特征在于,所述跨导放大器100包括主放大器,所述主放大电路包括第一增益放大电路和第二增益放大电路,其中,
所述第一增益放大电路包括:第一PMOS管PM0、第二PMOS管PM1、第三PMOS管PM2、第一NMOS管NM1和第二NMOS管NM2;其中,第一NMOS管NM1和第二NMOS管NM2的源极皆接地,栅极皆与共模反馈控制信号Vcmfb相连,漏极分别与所述第二PMOS管PM1和第三PMOS管PM2的漏极相连;第二PMOS管PM1和第三PMOS管PM2的栅极分别接差分输入信号Vin和Vip,源极皆与第一PMOS管PM0的漏极相连;第一PMOS管PM0的栅极接偏置电压Vbias1,源极接电源;
所述第二增益放大电路包括:第四PMOS管PM3、第五PMOS管PM4、第三NMOS管NM3和第四NMOS管NM4,其中,第三NMOS管NM3和第四NMOS管NM4的源极皆接地,栅极分别与所述第一NMOS管NM1和第二NMOS管NM2的漏极相连,漏极分别与第四PMOS管PM3和第五PMOS管PM4的漏极相连;第四PMOS管PM3和第五PMOS管PM4的栅极皆接偏置电压Vbias1,源极接电源;
其中,第二PMOS管PM1的栅极为主放大器的Vin差分输入端,与所述输入通路1002a连接;第三PMOS管PM2的栅极为主放大器的Vip差分输入端,与所述输入通路1002b连接;第五PMOS管PM4的漏极为主放大器的Voutn差分输出端;第四PMOS管PM3的漏极为主放大器的Voutp差分输出端。
7.根据权利要求6所述的用于生理电势信号检测的放大器,其特征在于,所述主放大电路还包括由第一电阻R1与第一电容C1串联组成的第一密勒补偿电路和由第二电阻R2与第三电容C2串联组成的第二密勒补偿电路,其中,
第一密勒补偿电路一端连接第一增益放大电路的第一NMOS管NM1的漏极,另一端连接第二增益级电路的第四NMOS管NM4的漏极;第二密勒补偿电路的一端连接第一增益级电路的第二NMOS管NM2的漏极,另一端连接第二增益放大电路的第三NMOS管NM3的漏极。
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