[实用新型]全背接触太阳能电池及其组件、系统有效
申请号: | 201720367976.1 | 申请日: | 2017-04-10 |
公开(公告)号: | CN206758443U | 公开(公告)日: | 2017-12-15 |
发明(设计)人: | 林建伟;章康平;刘志锋;季根华;刘勇 | 申请(专利权)人: | 泰州中来光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0352;H01L31/068;H01L31/18;H01B1/02 |
代理公司: | 北京金之桥知识产权代理有限公司11137 | 代理人: | 朱黎光,耿璐璐 |
地址: | 225500 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 接触 太阳能电池 及其 组件 系统 | ||
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池技术领域,具体涉及一种全背接触太阳能电池及其组件、系统。
背景技术
全背接触太阳能电池是一种高效率的太阳能转化为电能的半导体器件,但是其金属化需要耗费大量的贵金属材料。目前,量产太阳能电池中最常用的金属化方法是丝网印刷金属浆料法,通过印刷银浆或掺铝银浆,经过高温烧结过程,形成具备电学接触、电学传导、焊接互联等功能的金属化。为了形成良好的欧姆接触以及兼顾可焊性,晶体硅太阳能电池的正表面一般印刷银浆或掺铝银浆,但银浆或掺铝银浆的价格一般都较为昂贵,导致含银浆料在太阳能电池制造成本中的占比居高不下。因而寻找一种可以降低含银浆料使用量、同时又能满足欧姆接触和可焊性要求的电池制备方法成为减少太阳能电池生产成本的一项关键工作。
实用新型内容
本实用新型的目的在于针对现有技术的不足,提供一种低成本的全背接触太阳能电池及其组件、系统。
本实用新型提供的一种全背太阳能电池,其技术方案为:
一种全背接触太阳能电池,包括N型晶体硅基体,其特征在于:所述N型晶体硅基体背表面设置有互相深入交错排列的P型掺杂区域和N型掺杂区域,所述P型掺杂区域上设置有P区金属电极,所述N型掺杂区域上设置有N区金属电极;所述P区金属电极和所述N区金属电极均设置有与其形成欧姆接触的金属丝;与N区和P区金属电极形成欧姆接触的金属丝依次沿相反方向伸出所述N型晶体硅基体。其中,所述P区金属电极和N区金属电极均为分段电极。
其中,所述分段电极为圆点,所述圆点直径为30-300微米。
其中,所述电极是非连续的线段,非连续线段的长度为40-1000微米、宽度为40-300微米。
其中,所述金属丝的直径为40-200微米。
本实用新型的另一方面提供一种全背接触的太阳能电池组件,包括全背接触的太阳能电池和汇流条;所述全背接触的太阳能电池为上述的所述全背接触的太阳能电池;所述汇流条设置在相邻所述全背接触的太阳能电池之间。
本实用新型的再一方面提供一种太阳能电池系统,包括至少一个串联的太阳能电池组件,所述太阳能电池组件是如上所述的一种太阳能电池组件。
本实用新型的实施包括以下技术效果:
本实用新型的技术优点主要体现在:在背面的P型或N型掺杂区域采用十字型或雪花型或多边形图案,使得N/P掺杂区域互相深入交错,可以减少N/P 的重复单元,减少金属化面积。采用铜线取代部分含银浆料来形成副栅,既降低了含银副栅带来的表面复合又减少了金属化工程序的生产成本。相比现有的金属化工艺,本实用新型可以节约大概50-70%的含银浆料消耗量。
附图说明
图1为本实用新型实施例的一种全背接触太阳能电池示意图,其中显示的状态为制备与基体形成欧姆接触的电极之前。
图2为本实用新型实施例一种全背接触太阳能电池示意图,其中显示的状态为制备与基体形成欧姆接触的电极之后。
图3为本实用新型实施例一种全背接触太阳能电池示意图,其中显示的状态为镀有热敏导电材料的金属丝、热敏导电层和分段副栅形成欧姆接触之后。
图4为本实用新型实施例一种全背接触太阳能电池示意图,其中显示的状态为使用激光或电弧间断地切断金属丝之后。
图5为本实用新型实施例一种全背接触太阳能电池示意图,其中显示的状态为汇流条与一片电池的N区金属丝焊接,再与下一片的P区金属丝焊接得到电池串。
图6为本实用新型的一种全背接触太阳能电池结构示意图。
1、电池背面的P掺杂区(或N掺杂区);2、与1相反的N掺杂区(或P 掺杂区);3、P区的(或N区)的电极;4、N区的(或P区)的电极;5、与 P区(或N区)电极形成欧姆接触的金属丝;6、与N区(或P区)电极形成欧姆接触的金属丝;7、汇流条。
具体实施方式
下面将结合实施例以及附图对本实用新型加以详细说明,需要指出的是,所描述的实施例仅旨在便于对本实用新型的理解,而对其不起任何限定作用。
参见图1-4所示,本实施例的一种全背接触太阳能电池的制备方法,主要包括以下步骤:
(1)、选择N型太阳能电池基体,并对N型太阳能电池基体的前表面作制绒处理;N型太阳能电池基体的电阻率为0.5~15Ω·cm;
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的