[实用新型]一种蒸发设备用多次闪蒸结晶器有效

专利信息
申请号: 201720368744.8 申请日: 2017-04-10
公开(公告)号: CN206652267U 公开(公告)日: 2017-11-21
发明(设计)人: 王盛;屠文华;王可兴;王学军 申请(专利权)人: 江苏纵横浓缩干燥设备有限公司
主分类号: B01D9/02 分类号: B01D9/02
代理公司: 北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙)11411 代理人: 刘刚
地址: 214000 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 蒸发 备用 多次 闪蒸 结晶器
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及化工机械设备技术领域,具体涉及一种蒸发设备用多次闪蒸结晶器。

背景技术

蒸发结晶是一种常见的分离提纯结晶溶液方法,通常是通过加热蒸发溶剂,使溶液由不饱和变为饱和,再继续蒸发溶剂,直至溶质呈晶体析出。真空结晶器的结构相对较简单,生产能力大,市场上较常见的。强制循环蒸发器加热的溶液被打入锥形底结晶器中,结晶器密闭而绝热,器内维持较高的真空度,使加热的溶液沸点降低而急剧沸腾蒸发,在真空抽吸作用下二次蒸汽进入下一效或冷凝器,过饱和的溶液落入结晶器底部冷却析出晶体,最后晶体与母液的混合液从结晶器出料,这种结晶器自主结晶成长不够,需要加强搅拌。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是克服现有技术的缺陷,提供一种蒸发设备用多次闪蒸结晶器。

为了解决上述技术问题,本实用新型提供了如下的技术方案:

本实用新型公开一种蒸发设备用多次闪蒸结晶器,其包括结晶罐腔体,所述结晶罐腔体内设置有导流管和养晶槽,所述导流管设置有输入端和输出端,所述导流管的输出端开口向上设置;所述养晶槽设置在所述导流管输出端的下方且与所述导流管同轴线;所述导流管下方的所述结晶罐腔体部分设置为结晶沉降室,所述导流管上方的所述结晶罐腔体部分设置为蒸汽扩散室;所述结晶罐腔体的顶部设置有蒸汽出口。

进一步地,所述导流管的输出端的上方设置有第一挡板。

进一步地,所述蒸汽出口处设置有第二挡板。

进一步地,所述养晶槽的直径大于所述导流管输出端的直径。

工作原理:待结晶物料由大功率轴流泵打入强制循环蒸发器迅速加热,然后进入结晶器的导流管。结晶器是接入内部真空状态的蒸发系统中的,蒸发器内密闭而绝热并且维持较高的真空度。一定流速的加热溶液通过导流管往下落时沸点迅速降低而急剧沸腾闪蒸,溶液落入养晶槽时冲击养晶槽内的饱和溶液使其内部未被汽化的溶液迅速闪蒸,养晶槽内的饱和溶液在溢出落入结晶沉降室的时候再次把未被汽化的迅速闪蒸。经过三次闪蒸充分释放了溶液的显热,闪蒸汽在真空抽吸作用下经蒸汽出口进入下一效加热或冷凝器被冷凝。颗粒较小的晶体随着饱和溶液从养晶槽溢出落入结晶沉降室,而颗粒度较大的晶体将富集于养晶槽底部,与过饱和溶液相接触粒度将愈来愈大,从养晶槽底部的落料口落入结晶沉降室,最后结晶沉降室内晶体与母液的混合液从结晶器出料。

本实用新型所达到的有益效果是:

本实用新型的结晶器能够在三次闪蒸充分释放出溶液中的显热,更好的使用了溶液中的热量节省了能源,其次通过养晶槽和结晶沉降室两步养晶,使晶体成长的更好。

附图说明

附图用来提供对本实用新型的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与本实用新型的实施例一起用于解释本实用新型,并不构成对本实用新型的限制。在附图中:

图1是本实用新型的结构示意图。

具体实施方式

以下结合附图对本实用新型的优选实施例进行说明,应当理解,此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。

如图1所示,一种蒸发设备用多次闪蒸结晶器,其包括结晶罐腔体1,所述结晶罐腔体1内设置有导流管2和养晶槽3;所述导流管2设置有输入端201和输出端202,所述导流管的输出端202的开口向上设置;所述养晶槽3设置在所述导流管2的输出端202的下方且与所述输出端202同轴线;所述导流管2下方的所述结晶罐腔体1部分设置为结晶沉降室4,所述导流管2上方的所述结晶罐腔体1部分设置为蒸汽扩散室5;所述结晶罐腔体1的顶部设置有蒸汽出口6。

本实施例中,所述导流管2的输出端202的上方设置有第一挡板7,所述蒸汽出口6处设置有第二挡板8。所述养晶槽3的直径大于所述导流管2的输出端202的直径。

本实施例中蒸发设备用多次闪蒸结晶器的工作过程如下:经加热的溶液(实心箭头)以一定流速通过导流管2往下落时汽化闪蒸,溶液落入养晶槽3时冲击养晶槽内的溶液使其内部未被汽化的迅速闪蒸,养晶槽3内的饱和溶液在溢出落入结晶沉降室4的时候再次把未被汽化的迅速闪蒸。闪蒸产生的闪蒸汽(空心箭头)上升至蒸汽扩散室5,闪蒸气中夹杂的泡沫或物料颗粒被顶部的第二挡板8挡下,落入结晶沉将室4,闪蒸汽通过蒸汽出口6进入下一效加热或冷凝器被冷凝。颗粒较小的晶体随着饱和溶液从养晶槽3溢出落入结晶沉降室4,而颗粒度较大的晶体将富集于养晶槽3底部,与过饱和溶液相接触粒度将愈来愈大,从养晶槽3底部的落料口落入结晶沉降室4,最后结晶沉降室4内晶体与母液的混合液从结晶器底部出料口出料。

最后应说明的是:以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已,并不用于限制本实用新型,尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明,对于本领域的技术人员来说,其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。

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