[实用新型]图像传感器像素和成像系统有效

专利信息
申请号: 201720369564.1 申请日: 2017-04-11
公开(公告)号: CN207022104U 公开(公告)日: 2018-02-16
发明(设计)人: T·格蒂斯 申请(专利权)人: 半导体元件工业有限责任公司
主分类号: H04N5/369 分类号: H04N5/369;H04N5/378
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 代理人: 申发振
地址: 美国亚*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 图像传感器 像素 成像 系统
【权利要求书】:

1.一种图像传感器像素,包括:

光敏元件,所述光敏元件响应于入射光而生成电荷;

浮动扩散节点,所述浮动扩散节点耦接到所述光敏元件;

有源重置电路,所述有源重置电路耦接到所述浮动扩散节点且将所述浮动扩散节点设定为在像素重置操作期间具有减小的时间变化的电压电平;以及

列感测线,所述列感测线耦接到所述有源重置电路。

2.根据权利要求1所述的图像传感器像素,其中所述有源重置电路包括:

第一晶体管,所述第一晶体管具有耦接到参考电压的栅极;

第二晶体管,所述第二晶体管具有耦接到所述浮动扩散节点的栅极,耦接到电压源的第一源极-漏极端子,以及通过所述第一晶体管耦接到地的第二源极-漏极端子;以及

重置晶体管,所述重置晶体管耦接在所述浮动扩散节点与所述第二晶体管的所述第二源极-漏极端子之间。

3.根据权利要求2所述的图像传感器像素,还包括:

预充电晶体管,其中所述第二晶体管的所述第一源极-漏极端子通过所述预充电晶体管耦接到所述电压源;以及

采样电路,所述采样电路插置在所述列感测线与所述第二晶体管的所述第一源极-漏极端子之间。

4.根据权利要求3所述的图像传感器像素,其中所述采样电路包括:

PMOS采样晶体管;

采样电容器,所述采样电容器具有第一端子和耦接到地的第二端子,所述第一端子通过所述采样晶体管耦接到所述第二晶体管的所述第一源极-漏极端子;以及

放大器,所述放大器插置在所述采样电容器的所述第一端子与所述列感测线之间。

5.根据权利要求4所述的图像传感器像素,其中所述放大器包括:

源极跟随器晶体管,所述源极跟随器晶体管具有耦接到所述采样电容器的所述第一端子的栅极端子,其中所述源极跟随器晶体管插置在所述电压源与所述列感测线之间;

行选择晶体管,所述行选择晶体管插置在所述源极跟随器晶体管与所述列感测线之间;以及

有源重置电路,所述有源重置电路耦接到所述采样电容器的所述第一端子。

6.一种成像系统,包括:

成像像素阵列,所述成像像素阵列被布置成行和列,其中所述成像像素阵列中的每个像素包括:

光敏元件,所述光敏元件响应于入射光子而生成电荷;

存储区,所述存储区耦接到所述光敏元件;

有源重置电路,所述有源重置电路耦接到所述存储区;

采样电路,所述采样电路耦接到所述有源重置电路;以及

列感测线,所述列感测线耦接到所述采样电路。

7.根据权利要求6所述的成像系统,其中所述有源重置电路包括:

第一晶体管,所述第一晶体管具有耦接到所述存储区的栅极,耦接到电压源的第一源极-漏极端子,以及耦接到地的第二源极-漏极端子;

第二晶体管,所述第二晶体管插置在所述第一晶体管的所述第二源极-漏极端子与地之间,其中所述第二晶体管具有接收参考电压的栅极端子;以及

重置晶体管,所述重置晶体管插置在所述存储区与所述第一晶体管之间。

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