[实用新型]一种含氟废水处理装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及废水处理技术领域，尤其是一种含氟废水处理装置。

背景技术

光伏、半导体行业近年来飞速发展，是一个朝阳行业，然而这也是一个高耗能、高污染、用水量极大的行业，以100MW多晶硅生产线为例，每天用水量在1500吨左右，在所产生的废水中含氢氟废水占废水总量的70％左右，含氢氟废水是刻蚀工序中产生的，一般pH在2左右，氟离子含量一般在50-800ppm之间，电导在2000-4000us/cm之间。

目前，用于光伏、半导体行业的废水处理系统中对含氟废水的典型处理方法为沉淀法，其基本原理为：

Ca²⁺+2F-＝CaF₂↓

如上式，在处理过程中需要向废水中投加氢氧化钠，调整pH＝10-12，再加入到CaCl₂或其他钙盐，使Ca²⁺与水中的F反应生成CaF₂沉淀，从而使F^-从水中去除，然后用硫酸调节pH到中性，该工艺最终能够将排放水中的氟离子的含量控制在30-35mg/L，浊度在2-5NTU，然后进入中和池，和其他废水混合排放。

然而此方法对氟离子的去除有限，还有大量的氟离子排入水体，对环境造成危害。因此，需要开发一种针对光伏、半导体行业氟废水深度处理的新工艺。

实用新型内容

针对上述存在的问题，本实用新型的目的是提供一种含氟废水处理装置，将含氟废水经过本实用新型处理后，水质能够满足后续废水 处理工艺要求，降低了废水中有害物质排放总量；在处理过程中不会产生废气，无二次污染。

本实用新型的技术方案是：一种含氟废水处理装置，包括缓冲水池1、缓冲水泵2、进水F计3、进水pH计4、混凝池5、混凝池搅拌器6、混凝池pH计7、加载池8、加载池搅拌器9、絮凝池10、絮凝池搅拌器11、高速沉淀池12、刮泥机13、产水箱14、产水泵15、冲洗泵16、磁粉提升泵17、高速剪切机18、磁分离器19、污泥池20、污泥泵21、磁粉手动加入装置24、第一输送管路25、第二输送管路26、第三输送管路27、第四输送管路28、排泥管路29、排泥管路30、第五输送管路31、溢流管路32、第六输送管路33、第七输送管路34，所述缓冲水池1通过第一输送管路25连接至混凝池5，所述第一输送管路25上设有缓冲水泵2，所述第一输送管路25上安装有进水F计3和进水pH计4，所述混凝池5中安装有混凝池pH计7，所述混凝池5内设置混凝池搅拌器6，所述混凝池5通过第二输送管路26连接至加载池8，所述加载池8内设置加载池搅拌器9，所述加载池8通过第三输送管路27连接至絮凝池10，所述加载池8的顶端连接磁粉手动加入装置24，所述絮凝池10内设置絮凝池搅拌器11，所述絮凝池10通过第四输送管路28连接至高速沉淀池12，所述高速沉淀池12内设置刮泥机13，所述高速沉淀池12的底部设有高速沉淀池12排泥口，所述高速沉淀池12排泥口连接有排泥管路29，所述排泥管路29上设有磁粉提升泵17，所述磁粉提升泵17的出口分别连接至加载池8和高速剪切机18，所述高速剪切机18的出口连接至磁分离器19，所述磁分离器19设置一个磁粉排出口和磁分离器排泥口，所述磁粉排出口位于加载池8上方进磁粉区域，所述磁分离器排泥口连接有排泥管路30，所述排泥管路30连接至污泥池20，所述污泥池20通过第五输送管路31上设有的污泥泵21连接至污泥浓缩系统，所 述高速沉淀池12的侧面设有溢流口，所述溢流口连接有溢流管路32，所述溢流管路32连接至产水箱14，所述产水箱14设置两个出水口，其中一个所述出水口通过第六输送管路33上设置的产水泵15分别连接至缓冲水池1和中和水池，另一个所述出水口通过第七输送管路34上设置的冲洗泵16连接至磁粉提升泵17入口。

进一步的，所述混凝池5设置有氢氧化钠自动加药装置35、氯化钙自动加药装置36和PAC自动加药装置37，所述絮凝池10设置有PAM自动加药装置38。

进一步的，所述氢氧化钠自动加药装置35、氯化钙自动加药装置36、PAC自动加药装置37和PAM自动加药装置38与PLC控制装置相连；所述缓冲水池1、产水箱14和污泥池20均分别设有与所述PLC控制装置连接的液位传感器；所述第一输送管路25、第六输送管路33和混凝池5均各自配套有与所述PLC控制装置连接的水质监视仪表。

进一步的，所述氢氧化钠自动加药装置35内的氢氧化钠溶液的质量百分比为15-25％；所述氯化钙自动加药装置36内的氯化钙溶液的质量百分比为20-25％。