[实用新型]低噪声放大器有效
申请号: | 201720380930.3 | 申请日: | 2017-04-12 |
公开(公告)号: | CN206878784U | 公开(公告)日: | 2018-01-12 |
发明(设计)人: | 刘文永 | 申请(专利权)人: | 江苏卓胜微电子股份有限公司 |
主分类号: | H03F1/52 | 分类号: | H03F1/52;H03F3/193;H03F3/24 |
代理公司: | 无锡华源专利商标事务所(普通合伙)32228 | 代理人: | 聂启新 |
地址: | 214072 江苏省无锡*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 低噪声放大器 | ||
1.一种低噪声放大器,其特征在于,所述低噪声放大器包括静电保护电路、输入匹配电路、大功率信号释放电路、偏置电路、第一晶体管、负载电路、反馈电路、输出匹配电路;
第一静电保护电路与输入端连接;
输入端通过所述输入匹配电路与所述第一晶体管的第一端连接;
所述第一晶体管的第一端还连接有所述大功率信号释放电路和偏置电路;
所述第一晶体管的第二端与所述反馈电路连接;
所述负载电路的第一端与所述第一晶体管的第三端连接,所述负载电路的第二端与所述输出匹配电路连接;
所述输出匹配电路与输出端连接;
第二静电保护电路与所述输出端连接;
其中,所述大功率信号释放电路由两个二极管组合构成,每个二极管组合包括若干个串联的二极管,第一二极管组合和第二二极管组合并联。
2.根据权利要求1所述的低噪声放大器,其特征在于,
所述第一二极管组合中第一个二极管的正极与所述第一晶体管的第一端连接,所述第一二极管组合中的最后一个二极管的负极接地;
所述第二二极管组合中的第一个二极管的负极与所述第一晶体管的第一端连接,所述第二二极管组合中的最后一个二极管的正极接地。
3.根据权利要求1所述的低噪声放大器,其特征在于,所述第一静电保护电路和所述第二静电保护电路由反偏的二极管构成,所述输入匹配电路包括电感器和/或电容器;
所述第一静电保护电路中的第一二极管的正极与所述输入匹配电路连接;
所述第一静电保护电路中的第二二极管的负极与所述输入匹配电路连接,且所述第二二极管的负极与所述第一二极管的正极相连;
所述第二静电保护电路中的第三二极管的正极与所述输出端连接;
所述第二静电保护电路中的第四二极管的负极与所述输出端连接;
所述第一二极管的负极接电源,所述第二二极管的正极接地,所述第三二极管的负极接电源,所述第四二极管的正极接地。
4.根据权利要求1所述的低噪声放大器,其特征在于,所述偏置电路由电阻器和第一偏置电压源构成;
所述电阻器的一端与所述第一晶体管的第一端连接,所述电阻器的另一端与所述第一偏置电压源连接。
5.根据权利要求1所述的低噪声放大器,其特征在于,所述反馈电路包括第一电感器;
所述第一电感器的一端与所述第一晶体管的第二端连接,所述第一电感器的另一端接地。
6.根据权利要求1所述的低噪声放大器,其特征在于,所述负载电路至少包括第二晶体管、第二偏置电压源和第一电容器;
所述第二晶体管的第一端与所述第一晶体管的第三端连接;
所述第二晶体管的第二端与所述输出匹配电路连接;
所述第二晶体管的第三端与所述第二偏置电压源连接;
所述第一电容器的一端与所述第二晶体管的第三端连接,所述第一电容器的另一端接地。
7.根据权利要求1至6任一所述的低噪声放大器,其特征在于,所述输出匹配电路包括电容器。
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