[实用新型]一种亚微米级精密微装键合装置有效
申请号: | 201720390774.9 | 申请日: | 2017-04-13 |
公开(公告)号: | CN206834159U | 公开(公告)日: | 2018-01-02 |
发明(设计)人: | 吕成凤 | 申请(专利权)人: | 深圳市铭德自动化设备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 深圳市深联知识产权代理事务所(普通合伙)44357 | 代理人: | 徐炫 |
地址: | 528200 广东省深圳市龙岗区南*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 微米 精密 微装键合 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及微装键合装置技术领域,尤其涉及一种亚微米级精密微装键合装置。
背景技术
以前显示产品达到retina视网膜的分辨率(326ppi)已充分满足到肉眼分辨极限,但随着电子产品向着3D、VR、AR方向发展,以及朝着越来越小越来越轻薄的应用方向,对显示产品的分辨率要求越来越高,目前已经出现1500ppi以上的分辨率产品。在生产中需要将 CF玻璃、透明光学胶和硅基芯片精密键合在一起,在1500ppi以上的显示产品生产目前的设备已经不适用,需要采用芯片级的技术和设备来生产,显示产品需要真空键合设备,同样需要更高精度的微装真空键合装置。
为此我们提出了一种专门解决超高分辨率的真空键合,键合精度达到亚微米级(0.5um)以上的键合装置。
实用新型内容
本实用新型的目的是为了解决现有技术中存在的缺点,而提出的一种亚微米级精密微装键合装置。
为了实现上述目的,本实用新型采用了如下技术方案:
一种亚微米级精密微装键合装置,包括机架台面,所述机架台面上设有下真空腔、三轴调节机构和横移机构,且横移机构设于下真空腔的一侧,所述三轴调节机构设于横移机构上,且机架台面上设有显示器,所述下真空腔为中空结构,所述下真空腔内设有静电吸附平台,且下真空腔的一侧设有真空吸附口,所述真空吸附口延伸至下真空腔外,所述下真空腔上设有观察窗,所述三轴调节机构包括三轴对位平台,所述三轴对位平台上设有载物台,所述载物台为中空结构,所述载物台内设有三色复合面光源,所述横移机构包括模组安装立柱,所述模组安装立柱的数量为两个,且模组安装立柱设于机架台面上,所述模组安装立柱上设有第一精密线性模组,所述第一精密线性模组远离模组安装立柱的一侧设有横移安装板,所述横移安装板上设有第二精密线性模组和第三精密线性模组,且第三精密线性模组设于第二精密线性模组的一侧,所述第二精密线性模组上设有安装板,且安装板的底端设有上真空腔,所述上真空腔上设有压合气缸,且压合气缸贯穿上真空腔,所述上真空腔的底端设有密封圈,且压合气缸通过活塞杆连接有压合板,所述压合板的底端设有粘着板,所述第三精密线性模组上设有镜头燕尾调节模组,所述镜头燕尾调节模组的一侧设有高像素相机,且高像素相机的底端设有高倍率镜头,且高倍率镜头连接有三色复合面光源。
优选的,所述机架台面分别对称开设有螺纹孔,且安装立柱通过锁紧螺栓安装于机架台面上。
优选的,所述显示器通过固定支架设于机架台面上。
优选的,所述机架台面的底端四角处设有减震结构。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:
本实用新型中,通过增加机架台面、下真空腔、三轴调节机构、横移机构和显示器,利用三轴调节机构和横移机构调整高倍率镜头的位置,能够快速对CF玻璃、透明光学胶和硅基芯片进行键合,本实用新型结构简单,操作方便,能够快速对CF玻璃、透明光学胶和硅基芯片进行键合,提高工作效率,满足人们的使用需求。
附图说明
图1为本实用新型提出的一种亚微米级精密微装键合装置的主体结构示意图;
图2为本实用新型提出的一种亚微米级精密微装键合装置的下真空腔结构示意图;
图3为本实用新型提出的一种亚微米级精密微装键合装置的三轴调节机构的结构示意图;
图4为本实用新型提出的一种亚微米级精密微装键合装置的横移机构结构示意图;
图5为本实用新型提出的一种亚微米级精密微装键合装置的视觉模组结构示意图;
图6为本实用新型提出的一种亚微米级精密微装键合装置的真空上腔和贴合机构结构示意图。
图中:1机架台面、2下真空腔、21静电吸附台、22真空吸附口、 23观察窗、3三轴调节机构、31三轴对位平台、32载物台、 33三色复合面光源、4横移机构、41模组安装立柱、42第一精密线性模组、43横移安装板、441第三精密线性模组、442镜头燕尾调节模组、443高像素相机、444高倍率镜头、45上真空腔、451压合气缸、452密封圈、453压合板、454粘着板、455安装板、456第二精密线性模组、5显示器。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造