[实用新型]一种正反两面均可发电的硅基异质结太阳能电池

权利要求书

1.一种正反两面均可发电的硅基异质结太阳能电池，它包括正面金属导线、正面RPD透明导电膜层、正面P型非晶硅层膜层、正面本征非晶硅层膜层、衬底、背面本征非晶硅层膜层、背面N型非晶硅层膜层、背面PVD透明导电膜层、背面金属导线，其特征在于，所述正面金属导线、正面RPD透明导电膜层、正面P型非晶硅层膜层、正面本征非晶硅层膜层、衬底、背面本征非晶硅层膜层、背面N型非晶硅层膜层、背面PVD透明导电膜层和背面金属导线由上而下依次连接；所述正面金属导线为网印银膏线路或电铸铜线路，所述正面RPD透明导电膜层镀有IWO、IMO、ITIO或GZO薄膜层，所述正面P型非晶硅膜层为PECVD制程，所述正面本征非晶硅层膜层为PECVD制程，所述衬底为N型单晶硅片，所述背面本征非晶硅层膜层为PECVD制程，所述背面N型非晶硅层膜层为PECVD制程，所述背面ＰＶＤ透明导电膜层上真空磁控溅镀ITO膜层，所述背面金属导线为网印银膏线路或电铸铜线路。

2.根据权利要求1所述的一种正反两面均可发电的硅基异质结太阳能电池，其特征在于，所述正面金属导线为网印银膏线路时，其膜层厚度为15-100um、电阻率<5x10^-5Ωcm，所述正面金属导线为电铸铜线路时，其膜层厚度为10-50um、电阻率<5x10^-5Ωcm。

3.根据权利要求2所述的一种正反两面均可发电的硅基异质结太阳能电池，其特征在于，所述正面RPD透明导电膜层镀有IWO薄膜层时，其厚度为50-150nm，折射率为2.0-2.1，可见光透光性可高达85％以上, 电阻率<8x10^-4Ωcm，所述正面RPD透明导电膜层镀有IMO薄膜层时，其厚度为50-150nm，折射率为2.0-2.1，可见光透光性可高达85％以上, 电阻率<8x10^-4Ωcm，所述正面RPD透明导电膜层镀有GZO薄膜层时，其厚度为50-150nm，折射率为1.9-2.0，可见光透光性可高达85％以上, 电阻率<8x10^-4Ωcm。

4.根据权利要求2所述的一种正反两面均可发电的硅基异质结太阳能电池，其特征在于，所述正面P型非晶硅层膜层，其厚度为5-25nm。

5.根据权利要求2所述的一种正反两面均可发电的硅基异质结太阳能电池，其特征在于，所述正面本征非晶硅层膜层，其厚度为5-25nm。

6.根据权利要求2所述的一种正反两面均可发电的硅基异质结太阳能电池，其特征在于，所述背面本征非晶硅层膜层，其厚度为5-25nm。

7.根据权利要求2所述的一种正反两面均可发电的硅基异质结太阳能电池，其特征在于，所述背面N型非晶硅层膜层，其厚度为5-25nm。

8.根据权利要求2所述的一种正反两面均可发电的硅基异质结太阳能电池，其特征在于，所述背面ＰＶＤ透明导电膜层上真空磁控溅镀ITO膜层时，其ITO膜层厚度为50-150nm，折射率为2.0-2.1，可见光透光性可高达82％以上, 电阻率<4x10^-4Ωcm。

9.根据权利要求2所述的一种正反两面均可发电的硅基异质结太阳能电池，其特征在于，所述背面金属导线为网印银膏线路时，其厚度为15-100um，电阻率<5x10^-5Ωcm；所述背面金属导线为电铸铜线路时，其厚度为10-50um，电阻率<5x10^-5Ωcm。