[实用新型]大型电机的电压检测装置有效

专利信息
申请号: 201720397053.0 申请日: 2017-04-15
公开(公告)号: CN206725635U 公开(公告)日: 2017-12-08
发明(设计)人: 陈凯 申请(专利权)人: 深圳市容亮电子有限公司
主分类号: G01R19/00 分类号: G01R19/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518049 广东省深圳市福田*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 大型 电机 电压 检测 装置
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及电机驱动的电压检测,更具体地说它涉及一种大型电机的电压检测装置。

背景技术

现有技术中的为了检测中小型电机的运行状态,常会对中小型电机运行时的电压和电流进行采样检测,并通过显示装置显示采样结果。现有一般采用霍尔原理的传感器检测小型电机的电压和电流;但是霍尔传感器在电流和电压的检测时,易受其他磁场的干扰,产生一定的误差;无法对大型电机的电流进行精准的检测。

因而现有技术中为了准确的测量大型电机的电压,会通过采样装置直接连接在大型电机的运行电路上获取运行电压,通过和检测装置设置电压值恒定的基准电压,通过测量基准电压和运行电压之间的压降大小,比确定运行电压的大小。

而现有的基准电压通过两个阻值相同的电阻对电压电阻进行分压,再通过两个电阻之间的节点输出基准电压;因而只要有一个电阻存在问题,就会导致基准电压变化。而基准电压变化,会导致就算电机处在正常情况,检测装置测得也可能测得不正常的运行电压。

实用新型内容

针对现有技术存在的不足,本实用新型的目的在于提供一种大型电机的电压检测装置,在于能够检测基准电压是否准确。

为实现上述目的,本实用新型提供了如下技术方案:一种大型电机的电压检测装置,包括

触发电路,包括有手控按钮,所述触发电路在手控按钮按下时,输出触发信号;

基准电路,包括有串联的第一基准电阻R1和第二基准电阻R2与分别连接于第一基准电阻R1和第二基准电阻R2的可控开关组,当所述可控开关组未得到控制信号时,第一基准电阻R1远离第二基准电阻R2的一端连接电源电压VCC,第二基准电阻R2远离第一基准电阻R1的一端接地;而当所述可控开关组得到控制信号时,第一基准电阻R1远离第二基准电阻R2的一端接地,第二基准电阻R2远离第一基准电阻R1的一端连接电源电压VCC,第一基准电阻R1和第二基准电阻R2之间的设置有用于输出基准电压的基准节点;

保持电路,电连接基准节点,包括控制开关Q5;当所述控制开关Q5在未收到控制信号时,所述保持电路与基准节点接通,输出基准电压;而当所述控制开关Q5在收到控制信号时,所述保持电路与基准节点断开,输出断开前的基准节点电压;

检测电路,连接基准电压和保持电路的输出端,用于检测保持电路(7)的输出电压与基准电压是否相等,并在保持电路的输出电压与基准电压不等时,输出检测信号;

指示装置,用于当检测电路输出控制信号后,发出指示;

控制装置,电连接于检测电路的输出端、指示装置的输入端、触发电路的输出端、可控开关组和控制开关Q5的控制端,当接收到触发电路输出的触发信号时,向可控开关组和控制开关Q5输出控制信号;而当接收到检测电路输出的检测信号时,向指示装置输出控制信号。

通过采用上述技术方案,当按下手控按钮,驱动可控开关组动作,来驱动第一基准电阻R1和第二基准电阻R2两端的电源电压VCC和接地线翻转;通过驱动控制开关Q5动作,驱动保持电路保持输出断开前的基准节点电压;在通过检测电路将翻转前基准电压和翻转后的基准电压进行比较,如果相同则说明,第一基准电阻R1和第二基准电阻R2的阻值保持一致,基准电压正常,因此检测电路不输出检测信号;如果不相同,则第一基准电阻R1和第二基准电阻R2的阻值不一致,基准电压不正常,因此检测电路输出检测信号。控制装置在接收检测信号,向指示装置输出控制信号,使得指示装置发出指示。因而通过上述方案,在按下手控按钮后,如果存在第一基准电阻R1或第二基准电阻R2因老化而造成阻值变化,则指示装置发出指示。

本实用新型进一步设置为:所述可控开关组包括两个常闭的第一半导体开关和两个常开的第二半导体开关;两个第一半导体开关的两端分别连接电源电压VCC、第一基准电阻R1远离第二基准电阻R2的一端和接地线、第二基准电阻R2远离第一基准电阻R1的一端;两个第二半导体开关的两端分别连接源电压、第二基准电阻R2远离第一基准电阻R1的一端和接地线、第一基准电阻R1远离第二基准电阻R2的一端。

通过采用上述技术方案,在可控开关组不接收控制信号时,两个第一半导体开关处在导通状态,基准电压等于第二基准电阻R2的电压;而当在可控开关组接收控制信号时,两个第一半导体开关断开;两个第二半导体开关闭合,基准电压等于第一基准电阻R1的电压。因而在两次输出的基准电压信号如果相同,则第一基准电阻R1和第二基准电阻R2 的阻值相同。

本实用新型进一步设置为:所述第一半导体开关为P沟道耗尽型MOS管,所述第二半导体开关为N沟道增强型MOS管。

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