[实用新型]超声波指纹传感器有效

专利信息
申请号: 201720397742.1 申请日: 2017-04-14
公开(公告)号: CN206991333U 公开(公告)日: 2018-02-09
发明(设计)人: 季锋;闻永祥;刘琛;周浩 申请(专利权)人: 杭州士兰微电子股份有限公司
主分类号: G06K9/00 分类号: G06K9/00
代理公司: 北京成创同维知识产权代理有限公司11449 代理人: 蔡纯,张靖琳
地址: 310012*** 国省代码: 浙江;33
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 超声波 指纹 传感器
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及指纹传感器,更具体地,涉及超声波指纹传感器。

背景技术

生物特征识别是用于区分不同生物特征的技术,包括指纹、掌纹、脸部、DNA、声音等识别技术。指纹是指人的手指末端正面皮肤上凹凸不平的纹路,纹路有规律的排列形成不同的纹型。指纹识别指通过比较不同指纹的细节特征点来进行身份鉴定。由于具有终身不变性,唯一性和方便性,指纹识别的应用越来越广泛。

在指纹识别中,采用传感器获取指纹图像信息。根据工作原理的不同,指纹传感器可以分为光学、电容、压力、超声传感器。光学传感器体积较大,价格相对高,并且对于指纹的干燥或者潮湿状态敏感,属于第一代指纹识别技术。光学指纹识别系统由于光不能穿透皮肤表层,所以只能通过扫描手指皮肤的表面,不能深入到真皮层。这种情况下,手指的干净程度直接影响识别的效果,如果用户手指上粘了较多的灰尘、汗液等,可能就会出现识别出错的情况。并且,如果人们按照手指做一个指纹手摸,也可能通过识别系统。因此,对于用户而言,光学传感器的使用存在着安全性和稳定性方面的问题。电容指纹传感器技术采用电容器阵列检测指纹的纹路,属于第二代指纹传感器。每个电容器包括两个极板。在手指触摸时,指纹的纹路位于极板之间,形成电介质的一部分,从而可以根据电容的变化检测指纹纹路。电容式指纹传感器比光学类传感器价格低,并且紧凑,稳定性高,在实际产品中的使用更有吸引力。例如,在苹果公司的手机中使用的指纹传感器即是电容式指纹传感器。然而,电容式指纹传感器有着无法规避的缺点,即受到温度、湿度、沾污的影响较大。

作为进一步的改进,已经开发出第三代指纹传感器,其中利用压电材料的逆压电效应产生超声波。该超声波在接触到指纹时,在指纹的嵴、峪中表现出不同的反射率和透射率。通过扫描一定面积内的超声波束信号即可读取指纹信息。超声波指纹传感器产生的超声波可以能够穿透由玻璃、铝、不锈钢、蓝宝石或者塑料制成的手机外壳进行扫描,从而将超声波指纹传感器设置在手机外壳内。该优点为客户设计新一代优雅、创新、差异化的移动终端提供灵活性。此外,用户的体验也得到提升,扫描指纹能够不受手指上可能存在沾污的影响,例如汗水、护手霜等,从而提高了指纹传感器的稳定性和精确度。

现有的超声波指纹传感器包括在半导体衬底上形成的压电叠层和用于处理超声信号的CMOS电路,在CMOS电路和压电叠层之间设置绝缘层以隔开二者。该结构的超声波指纹传感器可以高速读取和鉴定指纹。然而,由于绝缘层在制造过程中产生应力,超声波指纹传感器的频率不稳定、参数一致性差、以及成品率差。

实用新型内容

有鉴于此,本实用新型的目的是提供一种超声波指纹传感器,通过在不同的管芯中形成CMOS电路和压电层,以避免由于中间层引入的应力导致性能劣化,在超声波换能器中的机械支撑层上形成压电叠层,以改善性能参数一致性。

根据本实用新型的一方面,提供一种制造超声波指纹传感器的方法,包括:形成超声波换能器,包括第一衬底、位于所述第一衬底上的机械支撑层、以及位于所述机械支撑层上的压电叠层,所述超声波换能器包括彼此相对的第一表面和第二表面;形成CMOS电路,包括第二衬底、在所述第二衬底中形成的至少一个晶体管、以及位于所述至少一个晶体管上的多个布线层和多个层间介质层,所述CMOS电路包括彼此相对的第三表面和第四表面;将所述超声波换能器和所述CMOS电路彼此连接,其中,所述超声波换能器的第二表面与所述CMOS电路的第三表面相对;以及在所述超声波换能器的第一表面中形成超声波波导结构,其中,所述机械支撑层为低应力层。

优选地,形成超声波换能器的步骤还包括:所述低应力层为外延多晶层,对所述外延多晶层进行原位掺杂,以减小应力。

优选地,形成超声波换能器的步骤还包括:对所述外延多晶层进行退火,以减小应力。

优选地,所述外延多晶层为硅层。

优选地,所述外延多晶层沿着厚度方向晶粒的尺寸逐渐增大。

优选地,所述压电叠层包括压电层、与所述压电层的下表面接触的第一电极、以及与所述压电层的上表面接触的第二电极,形成超声波换能器的步骤还包括:形成与所述第一电极连接的第一接触;以及形成与所述第二电极连接的第二接触,其中,所述第一接触和所述第二接触彼此隔开。

优选地,形成CMOS电路还包括:在所述CMOS电路的第三表面形成第一凹槽,所述第一凹槽暴露所述多个布线层中的第一布线层的至少一部分表面。

优选地,所述连接的步骤包括:采用焊料或共晶键合,将所述超声波换能器的第一接触、第二接触与所述CMOS电路的第一布线层之间彼此连接。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州士兰微电子股份有限公司,未经杭州士兰微电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201720397742.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top