[实用新型]一种可控硅调温控温装置及加热设备有效
申请号: | 201720400332.8 | 申请日: | 2017-04-18 |
公开(公告)号: | CN206610184U | 公开(公告)日: | 2017-11-03 |
发明(设计)人: | 刘崇杰 | 申请(专利权)人: | 刘崇杰 |
主分类号: | G05D23/32 | 分类号: | G05D23/32 |
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地址: | 261041 山东*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 可控硅 调温 装置 加热 设备 | ||
1.一种可控硅调温控温装置,其特征在于所述可控硅调温控温装置包括设置在遥控器上的控制信号发射电路和与可控硅发热体连接的控制信号接收电路;
所述控制信号发射电路包括编码芯片电路、第一三极管、第二三极管、电源电路、声表面滤波器、谐振电路和辐射天线,其中,所述编码芯片电路与所述第一三极管的基极连接,所述第一三极管的集电极与所述第二三极管的发射极连接,所述第二三极管的集电极连接所述谐振电路,所述谐振电路连接所述辐射天线,所述电源电路分别与所述谐振电路、编码芯片电路、声表面滤波器连接,所述声表面滤波器连接在所述第二三极管的基极与第一三极管的集电极之间;
所述控制信号接收电路包括超外差接收电路和可控硅控制电路,所述可控硅控制电路与所述超外差接收电路连接,所述可控硅控制电路连接可控硅发热体。
2.根据权利要求1所述的可控硅调温控温装置,其特征在于,所述控制信号发射电路还包括电容补偿电路,所述电容补偿电路设置在所述第一三极管集电极与所述声表面滤波器之间。
3.根据权利要求2所述的可控硅调温控温装置,其特征在于,所述电容补偿电路包括电容C2和电容C4,所述电容C2并联在所述声表面滤波器的两端,所述电容C2与所述声表面滤波器之间设有第四电路节点,所述第四电路节点引出的线路连接有电容C4,所述电容C4的另一端接地。
4.根据权利要求3所述的可控硅调温控温装置,其特征在于,所述谐振电路包括电容C3和电感L1,所述电感L1一端连接所述电容C3,另一端连接所述第二三极管的集电极,所述电容C3的另一端连接所述辐射天线。
5.根据权利要求4所述的可控硅调温控温装置,其特征在于,所述电源电路包括电感L2,所述电感L2一端与所述电感L1连接,另一端连接所述编码芯片电路。
6.根据权利要求5所述的可控硅调温控温装置,其特征在于,所述编码芯片电路包括芯片IC1,所述芯片IC1设有引脚OSC1、引脚VCC、引脚GND和引脚TXD,所述引脚TXD引出的线路连接所述第一三极管的基极,所述引脚GND接地,所述引脚OSC1和引脚VCC引出的线路连接至所述电感L2,所述电感L2与所述引脚OSC1和引脚VCC的连接线路上分别设有第一电路节点和第二电路节点,从所述第一电路节点和第二电路节点引出的线路连接至电容C5后接地。
7.根据权利要求5所述的可控硅调温控温装置,其特征在于,所述超外差接收电路包括接收芯片U2,所述接收芯片U2设有引脚VSS、引脚ANY、引脚VDD、引脚CTH、引脚DO、引脚SHUT、引脚CAGC和引脚OSC;
所述可控硅控制电路包括芯片U1,所述芯片U1设有引脚P62、引脚P63、引脚P64和引脚P60;
所述接收芯片U2的引脚DO与所述U1芯片的引脚P63连接,所述引脚P64连接可控硅发热体。
8.根据权利要求7所述的可控硅调温控温装置,其特征在于,所述控制信号接收电路还包括指示蜂鸣电路;
所述指示蜂鸣电路包括非易失性存储器U3,所述非易失性存储器U3设有引脚SCL、引脚GND、引脚SDA和引脚VCC,所述引脚SDA与所述芯片U1的引脚P62连接,所述引脚VCC连接二极管D1后与所述引脚P62连接,所述引脚GND连接发光二极管D2,所述引脚SCL连接蜂鸣器,所述蜂鸣器与所述引脚SCL之间设有第三电路节点,所述第三电路节点引出的线路连接至所述芯片U1的引脚P60。
9.根据权利要求8所述的可控硅调温控温装置,其特征在于,所述蜂鸣器与所述第三电路节点之间设有蜂鸣器驱动电路;
所述蜂鸣器驱动电路包括串接在一起的电阻R1和第三三极管,所述电阻R1与所述第三三极管的基极连接,所述第三三极管的发射极接地,所述第三三极管的集电极连接所述蜂鸣器。
10.一种包括权利要求1至9任一项所述的可控硅调温控温装置的加热设备。
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