[实用新型]一种大功率IGBT驱动电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及电力电子领域，尤其涉及一种大功率IGBT驱动电路。

背景技术

IGBT(绝缘栅双极型晶体管)是一种新型的电力电子器件，是由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成，同时具有MOSFET和GTR的优点，适合用于大电流场合，在电机驱动、开关电源、逆变器以及要求快速、低功耗的领域被广泛运用。

现有技术中，通常采用光电耦合器驱动IGBT，光电耦合器相对于脉冲变压器有诸多优势，它的电路结构简单，开关特性较好，信号传递的速度相对于脉冲变压器有较高的提升。但是没有过流饱和、短路饱和、故障检测等一系列辅助电路，如果这些保护电路通过分立元件去设计和搭建，会让驱动电路变得异常复杂。同时电路中的分立元件过多，保护功能完整的结构太复杂，会造成整体电路可靠性和性能都不理想，而光电耦合器隔离驱动和变压器隔离驱动又存在延迟时间过大或驱动波形失真等缺点。

故，针对目前现有技术中存在的上述缺陷，实有必要进行研究，以提供一种方案，解决现有技术中存在的缺陷。

实用新型内容

为了克服现有技术存在的缺陷，确有必要提供一种大功率IGBT驱动电路，采用专用集成IGBT驱动器，以一种简单的电路结构实现IGBT驱动。

为了克服现有技术存在的技术问题，本实用新型的技术方案如下：

一种大功率IGBT驱动电路，包括第一芯片U1、IGBT管、第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3、第四二极管D4、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4和第五电阻R5，其中，所述第一芯片U1采用专用IGBT驱动芯片M57962L；

所述第一芯片U1的第十三引脚和第十四引脚与输入的控制信号相连接，所述第一芯片U1的第八引脚输出反馈信号；所述第一芯片U1的第四引脚与所述第一电容C1的一端、所述第一二极管D1的负端相连接并共同与电源模块的输出端相连接；所述第一二极管D1的正端与所述第三电阻R3的一端、所述第一电容C1的另一端、所述第二电容C2的一端、所述第三二极管D3的正端、所述第二电阻R2的一端、所述IGBT管的发射极、所述第三电容C3的一端、所述第四二极管D4的负端相连接并共同与后级电路相连接；所述第一芯片U1的第一引脚与所述第二二极管D2的正端相连接，所述第二二极管D2的负端与所述IGBT管的集电极、所述第五电阻R5的一端、所述第四二极管D4的正端相连接并共同与后级电路相连接；所述第五电阻R5的另一端与所述第三电容C3的另一端相连接；所述第一芯片U1的第五引脚与所述第三二极管D3的负端、所述第一电阻R1的一端相连接，所述第一电阻R1的另一端与所述第二电阻R2的另一端、所述IGBT管的栅极相连接；所述第一芯片U1的第六引脚与所述第二电容C2的另一端、所述第三电阻R3的另一端相连接并共同与地端相连接。

优选地，所述IGBT管采用型号为SKM50GB123D的IGBT管。

与现有技术相比较，本实用新型采用专用集成IGBT驱动器，从而能够能够快速响应，慢速关断IGBT，并发出故障信号；同时，在IGBT管后级并接RCD缓冲电路，可以降低开关产生瞬间过压或者过流的影响。

附图说明

图1为本实用新型大功率IGBT驱动电路的电路原理图。

图2为M57962L型号的专用IGBT驱动芯片内部结构图。

如下具体实施例将结合上述附图进一步说明本实用新型。

具体实施方式

以下将结合附图对本实用新型提供的技术方案作进一步说明。

参见图1，所示为本实用新型大功率IGBT驱动电路的电路原理图，包括第一芯片U1、IGBT管、第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3、第四二极管D4、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4和第五电阻R5，其中，第一芯片U1采用专用IGBT驱动芯片M57962L；