[实用新型]一种过渡区结构有效
| 申请号： | 201720414007.7 | 申请日： | 2017-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN207068858U | 公开（公告）日： | 2018-03-02 |
| 发明（设计）人： | 马荣耀;刘春华 | 申请（专利权）人： | 中航（重庆）微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L27/088 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 401331 重庆*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 过渡 结构 | ||
1.一种过渡区结构，所述过渡区结构适用于具有超结结构的半导体器件，所述半导体器件包括复合结构，所述复合结构包括：
衬底，由具有第一导电类型的半导体材质形成；
外延层，所述外延层设置在所述衬底的上方，所述外延层的导电类型与所述衬底的导电类型相同；
多个具有第一导电类型的第一立柱及多个具有第二导电类型的第二立柱，相互间隔且垂直于所述衬底的设置于所述外延层中，所述多个第一立柱与所述多个第二立柱形成超结结构；
所述复合结构包括元胞区、终端区及位于所述元胞区和所述终端区之间的过渡区；
所述过渡区具有一第二导电类型的第一掺杂区域，用以连接位于所述过渡区的多个第二导电类型的所述第二立柱的顶部；
所述元胞区设置有MOS管器件结构，所述MOS管器件结构设置有具有第二导电类型的第二掺杂区域，用以形成所述MOS管器件结构的源区或者漏区；其特征在于，
临近所述过渡区的所述第二掺杂区域通过一设置于所述外延层内的电阻结构连接所述第一掺杂区域。
2.根据权利要求1所述的过渡区结构，其特征在于，所述电阻结构由一第二导电类型的第三掺杂区域形成，所述第三掺杂区域的掺杂浓度低于所述第一掺杂区域。
3.根据权利要求1所述的过渡区结构，其特征在于，所述第一掺杂区 域的掺杂浓度与所述第二掺杂区域的掺杂浓度相同。
4.根据权利要求1所述的过渡区结构，其特征在于，所述电阻结构上方覆盖有多晶硅层。
5.根据权利要求2所述的过渡区结构，其特征在于，所述元胞区、过渡区及终端区被设置于一具有第一导电类型的阱区内，所述阱区具有一第二导电类型的第四掺杂区域，所述第四掺杂区域成环形或者框形包围所述阱区。
6.根据权利要求5所述的过渡区结构，其特征在于，所述第四掺杂区域具有与所述第三掺杂区域相同的掺杂浓度。
7.根据权利要求6所述的过渡区结构，其特征在于，所述第三掺杂区域成环形或者框形包围所述元胞区。
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